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開關(guān)電源設(shè)計(jì)中有源驅(qū)動(dòng)與無源驅(qū)動(dòng)矩陣的不同點(diǎn)介紹

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:846次  |  2020年05月23日  

開關(guān)電源設(shè)計(jì)中有源驅(qū)動(dòng)與無源驅(qū)動(dòng)矩陣有很多不同點(diǎn),下面,筆者將對(duì)其一一分析,希望給大家提供一些應(yīng)有的幫助!


一.結(jié)構(gòu)的不同


無源驅(qū)動(dòng)矩陣的像素由陰極和陽極單純基板構(gòu)成,陽極和陰極的交叉部分可以發(fā)光,驅(qū)動(dòng)用IC需要由TCP或COG等連接方式進(jìn)行外裝。


有源驅(qū)動(dòng)的每個(gè)像素配備具有開關(guān)功能的低溫多晶硅薄膜晶體管(LowTemperaturePoly-SiThinFilmTransistor,LTP-SiTFT),而且每個(gè)象素配備一個(gè)電荷存儲(chǔ)電容,外圍驅(qū)動(dòng)電路和顯示陣列整個(gè)系統(tǒng)集成在同一玻璃基板上。與LCD相同的TFT結(jié)構(gòu),無法用于OLED。這是因?yàn)長CD采用電壓驅(qū)動(dòng),而OLED卻依賴電流驅(qū)動(dòng),其亮度與電流量成正比,因此除了進(jìn)行ON/OFF切換動(dòng)作的選址TFT之外,還需要能讓足夠電流通過的ON阻抗較低的小型驅(qū)動(dòng)TFT。


二.驅(qū)動(dòng)方式的不同

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充電溫度:0~45℃
-放電溫度:-40~+55℃
-40℃最大放電倍率:1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%

無源矩陣的驅(qū)動(dòng)方式為多路動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng),這種驅(qū)動(dòng)方式受掃描電極數(shù)的限制,占空比系數(shù)是無源驅(qū)動(dòng)的重要參數(shù)。


有源矩陣的驅(qū)動(dòng)方式屬于靜態(tài)驅(qū)動(dòng)方式,有源矩陣OLED具有存儲(chǔ)效應(yīng),可進(jìn)行100%負(fù)載驅(qū)動(dòng),這種驅(qū)動(dòng)不受掃描電極數(shù)的限制,可以對(duì)各像素獨(dú)立進(jìn)行選擇性調(diào)節(jié)。


三.有源矩陣可以實(shí)現(xiàn)高亮度和高分辨率


無源矩陣由于有占空比的問題,非選擇時(shí)顯示很快消失,為了達(dá)到顯示屏一定的亮度,掃描時(shí)每列的亮度應(yīng)為屏的平均亮度乘以列數(shù)。如64列時(shí),平均亮度為100cd/m2,則1列的亮度應(yīng)為6400cd/m2。隨著列數(shù)的增加,每列的亮度必須相應(yīng)增加,相應(yīng)的必須提高驅(qū)動(dòng)電流密度。由此可以看出,無源矩陣難以實(shí)現(xiàn)高亮度和高分辨率。


有源矩陣無占空比問題,驅(qū)動(dòng)不受掃描電極數(shù)的限制,易于實(shí)現(xiàn)高亮度和高分辨率。

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四.有源矩陣可以實(shí)現(xiàn)高效率和低功耗


五.有源矩陣易于實(shí)現(xiàn)彩色化


六.有源矩陣易于提高器件的集成度和小型化


七.有源矩陣易于實(shí)現(xiàn)大面積顯示


八.工藝成本的比較


無源驅(qū)動(dòng)由簡單矩陣構(gòu)成,基板制造工藝簡單;有源驅(qū)動(dòng)低溫多晶硅TFT工藝復(fù)雜,設(shè)備投資巨大。


對(duì)一般OLED器件,有源驅(qū)動(dòng)的成本較高。但無源驅(qū)動(dòng)需要外接驅(qū)動(dòng)電路,目前,這種電路芯片的價(jià)格還很高,而有源矩陣內(nèi)藏驅(qū)動(dòng)電路,不需外接,對(duì)較高分辨率和彩色化的OLED器件無源驅(qū)動(dòng)不一定成本低。


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