系統(tǒng)設(shè)計人員正面對越來越多的挑戰(zhàn)，他們必須在不降低系統(tǒng)元件（如高速資料轉(zhuǎn)換器）性能的情況下讓設(shè)計最大程度地實現(xiàn)節(jié)能。設(shè)計人員們可能轉(zhuǎn)而採用許多以電池供電的應(yīng)用（如某種手持終端、軟體無線設(shè)備或可攜式超音波掃描器），也可能縮小產(chǎn)品的外形尺寸，因而必須尋求減少發(fā)熱的諸多方法。

極大降低系統(tǒng)功耗的一種方法是對高速資料轉(zhuǎn)換器的電源進行最佳化。資料轉(zhuǎn)換器設(shè)計和製程技術(shù)的一些最新進展，讓許多新型ADC可直接由開關(guān)電源來驅(qū)動，因而達到最大化功效的目的。

系統(tǒng)設(shè)計人員們習(xí)慣在交換式穩(wěn)壓器和ADC之間使用一些低雜訊、低壓降穩(wěn)壓器（LDO），以清除輸出雜訊和開關(guān)頻率突波（請參見圖1）。但是，這種乾凈的電源設(shè)計代價是高功耗，因為LDO要求壓降余量來維持正常的執(zhí)行。最低壓降一般為200到500mV，但在一些系統(tǒng)中則可高達1到2V（例如，ADC的3.3V電壓軌出現(xiàn)自一個使用LDO的5V開關(guān)電源時）。

圖1：從傳統(tǒng)電源轉(zhuǎn)到最大功效電源。

就一個要求3.3V電壓軌的資料轉(zhuǎn)換器而言，300mV的LDO壓降新增約10%的ADC功耗。這種效應(yīng)在資料轉(zhuǎn)換器中更加顯著，因為它具有更小的製程節(jié)點和更低的電源電壓。例如，1.8V時，相同300mV壓降新增約17%（300mV/1.8V）的ADC功耗。因此，將該鏈路的低雜訊LDO去除可出現(xiàn)巨大的節(jié)能效果。去除LDO還可以降低設(shè)計板級空間、熱量以及成本。

本文闡述包括超高性能16位元ADC在內(nèi)的一些TI高速ADC可在ADC性能無明顯降低的條件下直接透過交換式穩(wěn)壓器驅(qū)動。為了闡述的方便，我們對兩款不同的資料轉(zhuǎn)換器（一款使用高性能BiCOM技術(shù)（ADS5483），另一款使用低功耗CMOS技術(shù)（ADS6148），以進行開關(guān)電源雜訊的感應(yīng)性研究。本文的其他部份對所得結(jié)果分別進行介紹。

採用BiCOM技術(shù)的ADC

這種製程技術(shù)實現(xiàn)寬輸入頻率範(fàn)圍下的高訊號雜訊比（SNR）和高無突波動態(tài)範(fàn)圍（SFDR）。BiCOM轉(zhuǎn)換器一般還具有許多晶片去耦電容器和非常不錯的電源抑制比（pSRR）。我們對ADS5483評估板（ADS5483EVM）進行了電源研究，其具有一個使用TpS5420交換式穩(wěn)壓器（Sw_Reg）的板上電源；一個低雜訊LDO（TpS79501）；以及一個外部實驗室電源使用選項。我們使用圖2所示不同結(jié)構(gòu)執(zhí)行了5次實驗，旨在確定ADS5483透過一個交換式穩(wěn)壓器直接執(zhí)行時出現(xiàn)的性能降低情況。由于ADS5483類比5V電源到目前為止表現(xiàn)出對電源雜訊的最大感應(yīng)性，因此該研究忽略了3.3V電源的雜訊。ADS5483產(chǎn)品說明書中列出的pSRR支援這種情況：兩個3.3V電源的pSRR至少高出5V類比電源20dB。

圖2：使用ADS5483EVM的5次實驗電源結(jié)構(gòu)。

5次實驗的結(jié)構(gòu)變化配置如下：

實驗1：

一個5V實驗室電源直接連接到5-V類比輸入，同時繞過交換式穩(wěn)壓器（TpS5420）和低雜訊LDO（TpS79501）。使用一個板上LDO（TpS79633）出現(xiàn)ADS5483低感應(yīng)度3.3V類比及數(shù)位電源的3.3V電壓軌。

實驗2

將一個10V實驗室電源連接到TpS5420降壓穩(wěn)壓器，其使用一個5.3V輸出。這樣可為TpS79501供應(yīng)一個300mV壓降，因而出現(xiàn)一個5V電壓軌。

實驗3

使用TpS5420，從10V實驗室電源出現(xiàn)一個5V電壓軌。本實驗中，我們繞過了TpS79501低雜訊LDO。圖3a顯示，如‘實驗2’連接的LDO較好地減少了交換式穩(wěn)壓器的5.3V輸出峰值電壓。但是，圖3b顯示5VVDDA電壓軌鐵氧體磁珠之后輸出沒有巨大的差異。

圖3：實驗2（使用LDO）和實驗3（無LDO）的示波器截圖比較。

實驗4

本實驗配置方法與‘實驗3’相同，但去除了TpS5420輸出的RC緩衝器電路，其會引起高振鈴和大開關(guān)頻率突波。

我們可在圖4中清楚的觀察到RC緩衝器電路的影響。去除LDO并沒有在鐵氧體磁珠之后表現(xiàn)出明顯的差異，而去除RC緩衝器電路則會導(dǎo)致更大的清潔5VVDDA電壓軌電壓峰值進入ADC。我們將在稍后詳細(xì)研究RC緩衝器電路的影響。

圖4：5VVDDA電壓軌的電源雜訊。

實驗5

將一個8Ω功率電阻連接到5V電源，類比如現(xiàn)場可程式設(shè)計閘陣列（FpGA）等額外負(fù)載。TpS5420必須供應(yīng)更高的輸出電流，并更努力地驅(qū)動其內(nèi)部開關(guān)，因而出現(xiàn)更大的輸出突波。通過重復(fù)進行‘實驗2’、‘實驗3’和‘實驗4’可以測試這種配置。

測量結(jié)果

我們利用輸入訊號頻率掃描比較了5個實驗。先使用135MSpS採樣速率然后使用80MSpS採樣速率對叁個ADS5483EVM執(zhí)行了這種實驗，均沒有觀察到巨大的性能差異。

在使用135MSpS採樣速率情況下，SNR和SFDR的頻率掃描如圖5所示。在10到130MHz輸入頻率下SNR的最大變化約為0.1dB。SFDR結(jié)果也非常接近；在某些輸入頻率（例如：80MHz）下，可以觀測到下降1至2dB。

圖5；10到130MHz輸入頻率掃描。

5個實驗的FFT曲線圖比較（請參見圖6）顯示雜訊底限或突波振幅沒有出現(xiàn)較大的新增。使用LDO清除開關(guān)雜訊使得輸出頻譜看起來幾乎與乾凈5V實驗室電源完全相同。去除LDO以后，我們觀測到從交換式穩(wěn)壓器出現(xiàn)了兩個突波，其具有一個來自10MHz輸入音調(diào)的約500kHz頻率偏置。RC緩衝器電路降低這些突波振幅約3dB，從約-108dBc降到了約-111dBc。這一值低于ADS5483的平均突波振幅，其顯示ADS5483可在不犧牲SNR或SFDR性能的情況下直接由一個交換式穩(wěn)壓器來驅(qū)動。

圖6：500kHz偏置突波65k點FFT圖。

RC緩沖器

降壓穩(wěn)壓器輸出能夠以相當(dāng)高的開關(guān)速度對非常大的電壓執(zhí)行開關(guān)作業(yè)。本文中，將TpS5420的輸入電壓軌設(shè)定為10V，我們可在輸出端觀測到許多過衝和振鈴，如圖7a所示。為了吸收一些電源電路電抗能量，我們將RC緩衝電路添加到了TpS5420的輸出（請參見圖7b）。該電路供應(yīng)了一個高頻接地通路，其對過衝起到了一些阻滯用途。圖7a顯示RC緩衝器降低過衝約50%，并且?guī)缀跬耆苏疋彙Ｎ疫x用了R=2.2Ω和C=470pF的元件值。穩(wěn)壓器的開關(guān)頻率範(fàn)圍可以為500kHz到約6MHz，具體取決于製造廠商，因此可能要我們對R和C值進行調(diào)節(jié)。這種解決方法的代價是帶來一些額外的分流電阻AC功耗（儘管電阻非常?。浣档头€(wěn)壓器總功效不足1%。

圖7：TpS5420交換式穩(wěn)壓器。

我們將10MHz輸入訊號標(biāo)準(zhǔn)化FFT圖繪製出來，以比較‘實驗1’到‘實驗4’（請參見圖8）。TpS5420的突波在約500kHz偏置時清晰可見。緩衝器降低突波振幅約3dB，而低雜訊LDO則完全消除了突波。要注意的是，RC緩衝器（無LDO）的突波振幅約為-112dBc，遠(yuǎn)低于ADS5483平均突波振幅，因此SFDR性能并未降低。

圖8：‘實驗1’到‘實驗4’的標(biāo)準(zhǔn)FFT圖。

在‘實驗5‘中，我們將一個8Ω功率電阻添加到5-VVDDA電壓軌，旨在模擬電源的重負(fù)載。標(biāo)準(zhǔn)化FFT圖（請參見圖9）并未顯示出很多不同。去除RC緩衝器以后，突波新增約4.5dB；其仍然遠(yuǎn)低于平均突波振幅。

圖9：添加8Ω負(fù)載的標(biāo)準(zhǔn)化FFT圖。

采用CMOS技術(shù)的ADC

當(dāng)關(guān)注如何在保持較佳的SNR和SFDR性能的同時也盡可能地降低功耗時，我們一般利用CMOS技術(shù)來開發(fā)高速資料轉(zhuǎn)換器。但是，CMOS轉(zhuǎn)換器的pSRR一般并不如BiCOMADC的好。ADS6148產(chǎn)品說明書列出了25dB的pSRR，而在類比輸入電源軌上ADS5483的pSRR則為60dB。

ADS6148EVM使用一種板上電源，其由一個交換式穩(wěn)壓器（TpS5420）和一個低雜訊、5V輸出LDO（TpS79501）組成，后面是一些3.3V和1.8V電源軌的低雜訊LDO（請參見圖10）。與使用ADS5483EVM的5個實驗類似，我們使用ADS6148EVM進行了下面另外5個實驗，其注意力只集中在3.3VVDDA電壓軌的雜訊上面。1.8VDVDD電壓軌外置TpS5420實驗顯示對SNR和SFDR性能沒有什么大的影響。

圖10：使用ADS6148EVM的5個實驗電源結(jié)構(gòu)。

實驗6

將一個5V實驗室電源連接到兩個低雜訊LDO（一個使用3.3V輸出，另一個使用1.8V輸出）的輸入。LDO并未對實驗室電源帶來任何有影響的雜訊。

實驗7

將一個10V實驗室電源連接到TpS5420降壓穩(wěn)壓器，其與一個5.3V輸出連接，像‘實驗2’連接ADS5483相同。TpS79501出現(xiàn)了一個過濾后的5.0V電壓軌，關(guān)于3.3V輸出和1.8V輸出LDO供應(yīng)輸入，如圖10所示。

實驗8

所有3.3VVDDA電壓軌LDO均被加以旁路。TpS5420配置為一個3.3V輸出，該輸出直接連接到3.3VVDDA電壓軌。TpS79601出現(xiàn)1.8VDVDD電壓軌，并透過一個外部5V實驗室電源供電。

實驗9

該實驗配置方法與‘實驗8’相同，但去除了TpS5420輸出的RC緩衝器電路。

實驗10

一個4Ω功率電阻連接到TpS5420的3.3V輸出。這樣做可大幅新增TpS5420的輸出電流，因而類比一個附加負(fù)載。另外，像‘實驗5’的ADS5483相同，它帶來了更高的開關(guān)突波和更多的振鈴。

圖11顯示了‘實驗7’、‘實驗8’和‘實驗9’出現(xiàn)的一些3.3VVDDA輸出波形。有或無LDO的峰值電壓振幅存在一些差異，但RC緩衝器可降低60%的峰值雜訊。

圖11：鐵氧體磁珠后測得3.3VVDDA電壓軌實驗示波器截圖比較。

測量結(jié)果

利用輸入訊號頻率掃描，透過比較‘實驗6’到‘實驗10’，我們可以研究ADS6148對電源雜訊的感應(yīng)性。先使用135MSpS然后使用210MSpS的採樣速率（fs）對叁個ADS6148EVM進行數(shù)次實驗。我們并未探測到較大的性能差異。

使用135MSpS採樣速率，SNR和SFDR的頻率掃描如圖12所示。高達300MHz輸入頻率下SNR的最大變化為0.1到0.2dB。但是，一旦移除了RC緩衝器電路，雜訊便極大新增，因而降低SNR約0.5到1dB。

圖12b顯示了5次ADS6148實驗輸入頻率的SFDR變化。我們并未觀測到較大的性能降低。

圖12：10到300MHz的輸入頻率掃描。

比較圖13所示FFT圖，我們了解無RC緩衝器SNR稍微減少的塬因。去除RC緩衝器電路后，在ADS6148輸出能譜中，我們可看到分佈間隔約為500kHz（TpS5420開關(guān)頻率）的眾多小突波，如圖13所示。相較于ADS5483，這些小突波更具主導(dǎo)性，并且因為ADS6148的固有低pSRRSNR大幅降低。但是，圖13所示FFT圖還顯示添加的RC緩衝器電路較好地彌補了這一不足。

圖13：大批突波的65k點FFT圖。

圖14所示標(biāo)準(zhǔn)化FFT圖顯示交換式穩(wěn)壓器的突波高出ADC平均雜訊層約5到6dB。其非常低，以至于其對SFDR減少無法出現(xiàn)影響，但卻明顯地影響了ADC的SNR。

圖14：標(biāo)準(zhǔn)化FFT圖顯示使用RC緩衝器的好處。