晶體硅光電池

晶體硅光電池有單晶硅與多晶硅兩大類(lèi)，用p型（或n型）硅襯底，通過(guò)磷（或硼）擴(kuò)散形成pn結(jié)成制作，生產(chǎn)技術(shù)成熟，是光伏市場(chǎng)上的主導(dǎo)產(chǎn)品。采用埋層電極、表面鈍化、強(qiáng)化陷光、密柵工藝、優(yōu)化背電極及接觸電極等技術(shù)，提高材料中的載流子收集效率，優(yōu)化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背電極等方式，光電轉(zhuǎn)換效率有較大提高。單晶硅光電池面積有限，目前比較大的為∮10至20cm的圓片，年產(chǎn)能力46MW/a。

目前主要課題是繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，開(kāi)發(fā)帶狀硅光電池技術(shù)，提高材料利用率。國(guó)際公認(rèn)最高效率在AM1.5條件下為24％，空間用高質(zhì)量的效率在AMO條件約為13.5—18％地面用大量生產(chǎn)的在AM1條件下多在11—18％之間。以定向凝固法生長(zhǎng)的鑄造多晶硅錠代替＃晶硅，可降低成本，但效率較低。優(yōu)化正背電極的銀漿和鋁漿絲網(wǎng)印刷，磨圖拋工藝，千方百計(jì)進(jìn)一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光電池的轉(zhuǎn)換效率最高18.6%。