多晶硅光電池

p-Si（多晶硅，包括微晶）光電池沒(méi)有光致衰退效應(yīng)，材料質(zhì)量有所下降時(shí)也不會(huì)導(dǎo)致光電池受影響，是國(guó)際上正掀起的前沿性研究熱點(diǎn)。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p-Si光電池轉(zhuǎn)換效率為15.3％，經(jīng)減薄襯底，加強(qiáng)陷光等加工，可提高到23.7％，用CVD法制備的轉(zhuǎn)換效率約為12.6-17.3％。采用廉價(jià)襯底的p-Si薄膜生長(zhǎng)方法有pECVD和熱絲法，或?qū)-Si：H材料膜進(jìn)行后退火，達(dá)到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8％和9.2％的無(wú)退化電池。微晶硅薄膜生長(zhǎng)與a-Si工藝相容，光電性能和穩(wěn)定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7％。大面積低溫p-Si膜與-Si組成疊層電池結(jié)構(gòu)，是提高a-S光電池穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率的重要途徑，可更充分利用太陽(yáng)光譜，理論計(jì)算表明其效率可在28％以上，將使硅基薄膜光電池性能產(chǎn)生突破性進(jìn)展。銅銦硒光電池

CIS（銅銦硒）薄膜光電池已成為國(guó)際光伏界研究開(kāi)發(fā)的熱門(mén)課題，它具有轉(zhuǎn)換效率高（已達(dá)到17.7％），性能穩(wěn)定，制造成本低的特點(diǎn)。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價(jià)襯底上分別沉積多層膜而構(gòu)成的，厚度可做到2?3μm，吸收層CIS膜對(duì)電池性能起著決定性作用?，F(xiàn)已開(kāi)發(fā)出反應(yīng)共蒸法和硒化法（濺射、蒸發(fā)、電沉積等）兩大類多種制備方法，其它外層通常采用真空蒸發(fā)或?yàn)R射成膜。阻礙其發(fā)展的原因是工藝重復(fù)性差，高效電池成品率低，材料組分較復(fù)雜，缺乏控制薄膜生長(zhǎng)的分析儀器。CIS光電池正受到產(chǎn)業(yè)界重視，一些知名公司意識(shí)到它在未來(lái)能源市場(chǎng)中的前景和所處地位，積極擴(kuò)大開(kāi)發(fā)規(guī)模，著手組建中試線及制造廠。