開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品日趨要求小型、輕量、高效率、低輻射、低成本等特點(diǎn)，增大開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的功率密度，可以通過(guò)提高其工作頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)，但高頻化產(chǎn)品會(huì)出現(xiàn)一系列工程問(wèn)題，從而限制了開(kāi)關(guān)頻率的提升。

開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品在市場(chǎng)的應(yīng)用主導(dǎo)下，日趨要求小型、輕量、高效率、低輻射、低成本等特點(diǎn)滿(mǎn)足各種電子終端設(shè)備，為了滿(mǎn)足現(xiàn)在電子終端設(shè)備的便攜式，必須使開(kāi)關(guān)電源體積小、重量輕的特點(diǎn)，因此，提高開(kāi)關(guān)電源的工作頻率，成為設(shè)計(jì)者越來(lái)越關(guān)注的問(wèn)題，然而制約開(kāi)關(guān)電源頻率提升的因素是什么呢？

一、開(kāi)關(guān)頻率的提高，功率器件的損耗增大

1、開(kāi)關(guān)管限制開(kāi)關(guān)頻率的因素有什么？

a、開(kāi)關(guān)速度

MOS管的損耗由開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗組成，如圖1所示：開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)、上升時(shí)間tr、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)、下降時(shí)間tf。

圖1

以FAIRCHILD公司的MOS為例，如表1所示：FDD8880開(kāi)關(guān)時(shí)間特性表。

表1

關(guān)于這個(gè)MOS管，它的極限開(kāi)關(guān)頻率為：fs=1/(td(on)+tr+td(off)+tf)Hz=1/(8ns+91ns+38ns+32ns)=5.9MHz，在實(shí)際設(shè)計(jì)中，由于控制開(kāi)關(guān)占空比實(shí)現(xiàn)調(diào)壓，所以開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與截止不可能瞬間完成，即開(kāi)關(guān)的實(shí)際極限開(kāi)關(guān)頻率遠(yuǎn)小于5.9MHz，所以開(kāi)關(guān)管本身的開(kāi)關(guān)速度限制了開(kāi)關(guān)頻率提高。

b、開(kāi)關(guān)損耗

開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)對(duì)應(yīng)的波形圖如圖2(A)，開(kāi)關(guān)截止時(shí)對(duì)應(yīng)的波形圖如圖2(B)，可以看到開(kāi)關(guān)管每次導(dǎo)通、截止時(shí)開(kāi)關(guān)管VDS電壓和流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流ID存在交疊的時(shí)間(圖中黃色陰影位置)，從而造成損耗p1，那么在開(kāi)關(guān)頻率fs工作狀態(tài)下總損耗pS=p1*fs，即開(kāi)關(guān)頻率提高時(shí)，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通與截止的次數(shù)越多，損耗也越大。

圖2

總結(jié)：開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗是限制開(kāi)關(guān)頻率的兩個(gè)因素。

1、變壓器的鐵損限制了頻率的提高

變壓器的鐵損主由變壓器渦流損耗出現(xiàn)，如圖3所示，給線圈加載高頻電流時(shí)，在導(dǎo)體內(nèi)和導(dǎo)體外出現(xiàn)了變化的磁場(chǎng)垂直于電流方向(圖中1→2→3和4→5→6)。根據(jù)電磁感應(yīng)定律，變化的磁場(chǎng)會(huì)在導(dǎo)體內(nèi)部出現(xiàn)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，此電動(dòng)勢(shì)在導(dǎo)體內(nèi)整個(gè)長(zhǎng)度方向(L面和N面)出現(xiàn)渦流(a→b→c→a和d→e→f→d)，則主電流和渦流在導(dǎo)體表面加強(qiáng)，電流趨于表面，那么，導(dǎo)線的有效交流截面積減少，導(dǎo)致導(dǎo)體交流電阻(渦流損耗系數(shù))增大，損耗加大。

圖3

如圖4所示，變壓器鐵損是和開(kāi)關(guān)頻率的kf次方成正比，又與磁性溫度的限制有關(guān)，所以隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高，高頻電流在線圈中流通出現(xiàn)嚴(yán)重的高頻效應(yīng)，從而降低了變壓器的轉(zhuǎn)換效率，導(dǎo)致變壓器溫升高，從而限制開(kāi)關(guān)頻率提高。

圖4

二、開(kāi)關(guān)頻率的提高，EMI設(shè)計(jì)、pCB布局難度增大

假設(shè)上述的功率器件損耗解決了，真正做到高頻還要解決一系列工程問(wèn)題，因?yàn)樵诟哳l下，電感已經(jīng)不是我們熟悉的電感，電容也不是我們已知的電容了，所有的寄生參數(shù)都會(huì)出現(xiàn)相應(yīng)的寄生效應(yīng)，嚴(yán)重影響電源的性能，如變壓器原副邊的寄生電容、變壓器漏感，pCB布線間的寄生電感和寄生電容，會(huì)造成一系列電壓電流波形振蕩和EMI問(wèn)題，同時(shí)對(duì)開(kāi)關(guān)管的電壓應(yīng)力也是一個(gè)考驗(yàn)。

要提高開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品的功率密度，首先考慮的是提高其開(kāi)關(guān)頻率，能有效減小變壓器、濾波電感、電容的體積，但面對(duì)的是由開(kāi)關(guān)頻率引起的損耗，而導(dǎo)致溫升散熱設(shè)計(jì)難，頻率的提高也會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)、EMI等一系列工程問(wèn)題。