鉅大LARGE | 點擊量:1715次 | 2020年05月20日
利用數(shù)字電位計實現(xiàn)開關(guān)電源的輸出電壓調(diào)整
將典型開關(guān)電源輸出電壓(圖1)與內(nèi)部基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,可看到差別集中在脈寬調(diào)制器(pWM)。pWM將斜坡與
圖2.使用數(shù)字電位計調(diào)整DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出電壓,組成可變反饋電阻
控制誤差放大器引腳電壓,便可調(diào)整輸出電壓。這可以通過使用DAC,或者使用數(shù)字電位計,以外部方式實現(xiàn),如圖2所示。某些電壓調(diào)節(jié)器允許使用串行接口(比如pMBus、I2C或SpI)在內(nèi)部控制反饋電壓。表1比較了三種方法的調(diào)整能力和功耗。
數(shù)字電位計(或稱digipOT)工作方式與傳統(tǒng)電位計相似,但用電子開關(guān)和數(shù)字信號代替機械游標(biāo)進(jìn)行操作,如圖3所示。digipOT將一串小數(shù)值電阻與位于每兩個電阻交叉點上的電子開關(guān)串聯(lián)。digipOT分辨率與電阻網(wǎng)絡(luò)中的位控制節(jié)點量有關(guān)??刂乒?jié)點的數(shù)量越高,分辨率越高。
圖3.顯示電子開關(guān)的64位數(shù)字電位計。同一時間只能閉合一個電子開關(guān),該開關(guān)決定電阻比。
某些數(shù)字電位計采用非易失性存儲器,因此可在測試期間編程輸出電源。相比其他兩種方式,這項易于使用的特性具有極大的優(yōu)勢。
線性化傳遞函數(shù)
反饋電阻R1和R2的比值決定了開關(guān)電源輸出電壓。
其中:
VFB=內(nèi)部基準(zhǔn)電壓
VOUT=輸出電壓
R1=連接輸出的反饋電阻
R2=接地反饋電阻
以數(shù)字電位計代替R1和R2時,需考慮一些問題。數(shù)字電位計內(nèi)部有兩個電阻串(RAW和RWB),如圖4所示。
圖4.數(shù)字電位計電阻命名法
兩串電阻互補。
其中:
RAB=端到端電阻或標(biāo)稱值
以RAW和RWB代替R1和R2可實現(xiàn)對數(shù)傳遞函數(shù)。數(shù)字碼和輸出電壓之間的非線性關(guān)系降低了低端分辨率。圖5顯示了這個取自數(shù)字電位計的對數(shù)傳遞函數(shù)。
圖5.以數(shù)字電位計代替反饋電阻后得到的對數(shù)傳遞函數(shù)
圖6.在可變電阻模式下使用數(shù)字電位計
有多種方法可以克服此分辨率問題。比較常用的方法是在可變電阻模式下使用數(shù)字電位計(如圖6所示);或者將電阻與電位計串聯(lián)(如圖7所示)。
圖7.在電位計模式下線性化
最小化誤差
由于電阻公差,將數(shù)字電位計與外部電阻一同使用可能導(dǎo)致失配問題。精密器件可能具有1%的電阻公差,但大部分?jǐn)?shù)字電位計只能達(dá)到20%的電阻公差。
這種情況下,可通過串并聯(lián)電阻組合減少失配(如圖8和圖9所示);其缺點是動態(tài)范圍也會縮小。
圖8.可變電阻和串聯(lián)電阻
圖9.電位計模式
在可變電阻模式下,串聯(lián)電阻必須足夠高,才能忽略數(shù)字電位計的公差,即R2≥10RAB。在電位計模式下,并聯(lián)電阻必須足夠小,即R3≤RAB/10。
使用串并聯(lián)組合對電位計進(jìn)行線性化可能十分復(fù)雜,如圖10中的等效電路所示。
圖10.最終Y-Δ變換
其中:
反饋輸入引腳通常具有較高的阻抗,因此R6的影響可以忽略。
開關(guān)調(diào)節(jié)器工作在較高頻率下(通常高于1MHz),因而允許使用小數(shù)值外部元件。在最差情況下,它必須為動態(tài)負(fù)載供電,因此反饋電阻網(wǎng)絡(luò)必須供應(yīng)足夠的帶寬,才能精確跟蹤輸出電壓。由于存在寄生內(nèi)部開關(guān)電容,數(shù)字電位計可用作低通
圖11.假如反饋電阻網(wǎng)絡(luò)無法供應(yīng)足夠的帶寬來精確跟蹤輸出電壓,則雜散電容導(dǎo)致的寄生效應(yīng)可能帶來麻煩。
克服這一限制的一種簡單方法,是將一個電容并聯(lián)放置在輸出與反饋網(wǎng)絡(luò)之間(如圖12所示),以便降低高頻阻抗,并最大程度地縮短振蕩時間。
圖12.并聯(lián)電容降低高頻阻抗,最大程度地減少振蕩
更簡單的解決方法
ADI公司的AD5141digipOT克服了其他數(shù)字電位計的某些問題。它供應(yīng):
●非易失性256位調(diào)整
●10k和100k電阻選項
●8%最大電阻公差
●±6mA游標(biāo)電流
●35ppm/°C溫度系數(shù)
●3MHz帶寬
●<75μS啟動時間
●線性增益設(shè)置模式
●單電源及雙電源供電
●1.8V至5.5V獨立邏輯電源
●-40°C至+125°C工作溫度
●3mm3mmLFCSp封裝
●4kVESD保護(hù)
圖13.AD5141功能框圖
AD5141(圖13)可作為真可變電阻使用,用于處理端電壓范圍為VSS 低電阻公差和低標(biāo)稱溫度系數(shù)簡化了開環(huán)應(yīng)用和要公差匹配的應(yīng)用。 AD5141的重要優(yōu)勢是采用了最新的專利功能,稱為“線性增益設(shè)置模式”。該模式允許對數(shù)字電位計端子RAW和RWB兩串電阻之間的電阻值獨立編程,使得: 采用這種模式,則無需通過外部電阻實現(xiàn)線性開關(guān)電源電壓調(diào)整;另外,電阻公差也可以忽略了,同時傳遞函數(shù)總誤差僅與內(nèi)部電阻串失配有關(guān),而后者通常不足1%,并具有低溫漂特性。 每一個電阻串都有一個對應(yīng)的EEpROM位置,因此上電時可載入每一個電阻串的獨立值。此外,器件還為快速反饋環(huán)路供應(yīng)了高達(dá)3MHz的帶寬。 寬帶寬和低總諧波失真(THD)確保關(guān)于交流信號具有最佳性能,適合濾波器設(shè)計。在電阻陣列末端的游標(biāo)電阻低至40,允許進(jìn)行引腳到引腳連接。 游標(biāo)電阻值可通過一個SpI/I2C兼容數(shù)字接口設(shè)置,也可利用該接口回讀游標(biāo)寄存器和EEpROM內(nèi)容。 可利用I2C或SpI接口(使用DIS引腳便可通過硬件來加以選擇)設(shè)置任意位,實現(xiàn)針對RDAC寄存器的編程。找到所需的游標(biāo)位置后,可以將該值存儲在EEpROM存儲器中。以后上電時游標(biāo)位置始終會恢復(fù)到該位置。存儲EEpROM數(shù)據(jù)大約要18ms;在這段時間內(nèi),器件會鎖定并不會應(yīng)答任何新命令,因而可防止出現(xiàn)任何更改??焖賳訒r間(<75μS)保證了完成電源序列后可快速刷新寄存器。