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如何實(shí)現(xiàn)數(shù)字可調(diào)的升壓型開(kāi)關(guān)電源
1設(shè)計(jì)方法
方法系統(tǒng)設(shè)計(jì)框圖如圖1所示,輸入為220V,50Hz交流電壓,經(jīng)電壓變換,整流濾波后得到18V的直流電壓,送入Boost電路,經(jīng)濾波輸出直流。CpLD與單片機(jī)組成的數(shù)字控制模塊輸出脈寬調(diào)制信號(hào)(pWM),由按鍵控制改變pWM占空比,從而控制Boost電路的輸出電壓。該輸出電壓可在30~36V范圍內(nèi)步進(jìn)調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)多路電壓輸出。最大輸出電流高達(dá)2A。
輸出電壓經(jīng)MAXl97A/D采樣,送至控制模塊,通過(guò)pID算法計(jì)算調(diào)整下一次傳送的控制信號(hào),形成反饋回路,實(shí)現(xiàn)寬電壓輸入,穩(wěn)壓輸出的功能。
2硬件電路設(shè)計(jì)
2.1硬件電路圖
系統(tǒng)硬件電路如圖2所示。交流電壓經(jīng)變壓器轉(zhuǎn)換,其幅值按一定比例降低。降低的交流電壓經(jīng)扁橋式整流電路整流為18V直流,經(jīng)2200μF電容濾波后進(jìn)入主轉(zhuǎn)換電路與Boost電路。
在Boost轉(zhuǎn)換電路中,新增MOSFET和二極管緩沖吸收電路,減小過(guò)壓或過(guò)流引起的損耗。由于電源功率較小,則采用RC吸收電路。當(dāng)過(guò)流、過(guò)壓出現(xiàn)時(shí),電流通過(guò)電阻以熱能的形式將能量散發(fā)出去,降低對(duì)MOSFET的影響,減小其損耗,延長(zhǎng)使用壽命。根據(jù)多次試驗(yàn),保護(hù)吸收電路的電阻應(yīng)取kΩ級(jí),電容取nF級(jí)。直流信號(hào)再經(jīng)低通濾波器濾除紋波,驅(qū)動(dòng)負(fù)載。[page]
2.2重要功能電路原理
硬件電路部分的重要電路是Boost電路,它由功率開(kāi)關(guān)管VT、儲(chǔ)能電感L、續(xù)流二極管VD和濾波電容C組成。開(kāi)關(guān)管按一定頻率工作,轉(zhuǎn)換周期為T(mén),導(dǎo)通時(shí)間為T(mén)on,截止時(shí)間為T(mén)off,占空比D=Ton/T。其工作原理為:當(dāng)VT導(dǎo)通時(shí),電感L儲(chǔ)能,VD反偏截止,負(fù)載由電容C供應(yīng)電能;VT截止時(shí),L兩端電壓極性相反,VD正偏,同時(shí)為負(fù)載和濾波電容C供應(yīng)能量。
由儲(chǔ)能電感L導(dǎo)通和截止期間,電流變化量相等可得,輸出電壓U0和輸入電壓U1之間關(guān)系為:
U0/Ui=1/(1一D)(1)
2.3器件選取
根據(jù)理論計(jì)算,功率開(kāi)關(guān)采用晶體管即可滿(mǎn)足要求,故系統(tǒng)采用IRF540型MOS管,其VDS=100V,IDS=17A。采用MOS管專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器件IR2110完成驅(qū)動(dòng)功能。IR2110是一款高低電平驅(qū)動(dòng)器件,其邏輯輸入電壓只需3.3V,輸出電壓最大可達(dá)20V,驅(qū)動(dòng)電流最大可達(dá)到2A。其延遲時(shí)間為10ns,上升沿和下降沿時(shí)間分別為120ns和9411s。由于IR2110可同時(shí)驅(qū)動(dòng)雙MOS管,因而系統(tǒng)只涉及一個(gè)MOS管,故只使用一路驅(qū)動(dòng)即可。
由于普通二極管的反向恢復(fù)時(shí)間過(guò)長(zhǎng),而肖特基整流管無(wú)電荷儲(chǔ)存問(wèn)題,可改善開(kāi)關(guān)特性。其反向恢復(fù)時(shí)間縮短到1011s以?xún)?nèi)。但其反向耐壓值較低,一般不超過(guò)100V。因此肖特基二極管適用于低壓、大電流狀態(tài)下工作,并可利用其低壓降提高低壓、大電流整流(或續(xù)流)電路的效率。
2.4重要參數(shù)的計(jì)算
濾波電容的選取,可根據(jù)
當(dāng)開(kāi)關(guān)管工作頻率取F=40kHz時(shí),設(shè)紋波電壓約為30~50mV,則計(jì)算得到C數(shù)量級(jí)為1000μF。實(shí)際調(diào)試后取電容為2200μF。[page]
儲(chǔ)能電感的選取,可根據(jù):
設(shè)計(jì)過(guò)程中,設(shè)置紋波電流△iL=O.4A,計(jì)算得到L數(shù)量級(jí)為lmH,實(shí)際調(diào)試后取電感為0.79mH。[page]
3軟件設(shè)計(jì)
選擇CpLD和51系列單片機(jī)組合設(shè)定數(shù)字控制和輸出電壓步進(jìn)。用單片機(jī)控制整個(gè)系統(tǒng)。軟件設(shè)計(jì)除設(shè)定初始電壓值,還包含pID算法程序,以及調(diào)整pWM占空比??删幊踢壿嬈骷﨏pLD可直接生成pWM波控制開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)器。
3.1pWM波出現(xiàn)
pWM波的出現(xiàn)采用VerilogHDL硬件描述語(yǔ)言在CpLD中實(shí)現(xiàn)。信號(hào)頻率設(shè)定為40kHz,采用DDS方式步進(jìn)頻率可精確至1Hz。使用QuartusⅡ自帶的工具生成pLL器件,將外界晶體振蕩器輸入的頻率倍頻至100MHz。由DDS公式,可得:
式中:k為累加系數(shù);Fin為輸入頻率;n為計(jì)數(shù)器位數(shù)。
當(dāng)鍵盤(pán)鍵入所需電壓U0,單片機(jī)內(nèi)轉(zhuǎn)化為占空比DY=1一(Ui/U0)。累加器開(kāi)始累加時(shí)輸出高電平,當(dāng)DY達(dá)到計(jì)數(shù)值時(shí)變?yōu)榈碗娖?,最終可得精確頻率下占空比可調(diào)的pWM控制信號(hào)。
3.2pI控制算法
該系統(tǒng)設(shè)計(jì)選擇pI算法(pID算法的一種簡(jiǎn)單形式),即令Kd為零,只考慮比例系數(shù)和積分系數(shù)。因此,系統(tǒng)穩(wěn)壓控制的優(yōu)劣取決于參數(shù)Kp、Ki。Kp越大,系統(tǒng)反應(yīng)越靈敏,但Kp偏大會(huì)導(dǎo)致輸出振蕩大,調(diào)節(jié)時(shí)間延長(zhǎng),所以應(yīng)謹(jǐn)慎選擇。積分系數(shù)的運(yùn)用可以消除系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)誤差,提高系統(tǒng)的控制精度。pI算法流程如圖3所示。圖3中引入了積分分離式算法,減少積分校正對(duì)控制系統(tǒng)動(dòng)態(tài)性能的影響。即在控制開(kāi)始階段或電壓值大幅度變化時(shí),取消積分校正;而當(dāng)實(shí)際電壓值與設(shè)定值的誤差小于一定值時(shí),恢復(fù)積分校正用途。積分分離式算法既保持積分用途,又減小超調(diào)量,改善控制系統(tǒng)的性能。經(jīng)實(shí)驗(yàn)確定,可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓功能。
3.3仿真驗(yàn)證
Simulink是MATLAB供應(yīng)的實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)系統(tǒng)建模仿真的一個(gè)軟件包。采用powersystem庫(kù)模型,將系統(tǒng)設(shè)計(jì)的仿真電路連接如圖4所示。脈沖出現(xiàn)器出現(xiàn)固定頻率和占空比方波,控制MOS開(kāi)關(guān)管。電流和電壓測(cè)量器將模擬的電流和電壓量化送至示波器。仿真中器件參數(shù)根據(jù)實(shí)際設(shè)計(jì)選?。狠斎腚妷簽?8V,開(kāi)關(guān)管的控制脈沖(pWM波)頻率為40kHz,占空比60%,電容取2200μF,電感為1mH,電阻為18Ω。得到的電流電壓波形圖如5所示。通過(guò)仿真可看出,在不考慮損耗時(shí)電壓可以升36V以上,電流也可以達(dá)到2.4A;在實(shí)際電路中因存在損耗,通過(guò)調(diào)整占空比達(dá)到了輸出電壓30~36V步進(jìn)調(diào)整.最大輸出電流2A。
利用Boost電路實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的升壓轉(zhuǎn)換,采用CpLD和單片機(jī)完成數(shù)字控制,軟件編程得到pWM信號(hào),通過(guò)調(diào)整占空比實(shí)現(xiàn)輸出電壓數(shù)字調(diào)節(jié)。而運(yùn)用pI算法則是本系統(tǒng)設(shè)計(jì)的亮點(diǎn),完美實(shí)現(xiàn)了寬輸入,穩(wěn)壓輸出。