今天我們在來一起學習下開關電源上面要怎么選擇MOS管吧，看下開關電源上面選用MOS管應注意那些東西，什么參數是MOS管在開關電源中起著決定性用途的，請往下看。

MOS管最常見的應用可能是電源中的開關元件，此外，它們對電源輸出也大有裨益。服務器和通信設備等應用一般都配置有多個并行電源，以支持N+1冗余與持續(xù)工作(圖1)。各并行電源平均分擔負載，確保系統即使在一個電源出現故障的情況下仍然能夠繼續(xù)工作。不過，這種架構還要一種方法把并行電源的輸出連接在一起，并保證某個電源的故障不會影響到其它的電源。在每個電源的輸出端，有一個功率MOS管可以讓眾電源分擔負載，同時各電源又彼此隔離。起這種用途的MOS管被稱為"ORing"FET，因為它們本質上是以"OR"邏輯來連接多個電源的輸出。

圖1：用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管

在ORingFET應用中，MOS管的用途是開關器件，但是由于服務器類應用中電源不間斷工作，這個開關實際上始終處于導通狀態(tài)。其開關功能只發(fā)揮在啟動和關斷，以及電源出現故障之時。

相比從事以開關為核心應用的設計人員，ORingFET應用設計人員顯然必需關注MOS管的不同特性。以服務器為例，在正常工作期間，MOS管只相當于一個導體。因此，ORingFET應用設計人員最關心的是最小傳導損耗。

低RDS(ON)可把BOM及pCB尺寸降至最小

一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON)參數來含義導通阻抗;對ORingFET應用來說，RDS(ON)也是最重要的器件特性。數據手冊含義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但關于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數。

若設計人員試圖開發(fā)尺寸最小、成本最低的電源，低導通阻抗更是加倍的重要。在電源設計中，每個電源常常要多個ORingMOS管并行工作，要多個器件來把電流傳送給負載。在許多情況下，設計人員必須并聯MOS管，以有效降低RDS(ON)。

需謹記，在DC電路中，并聯電阻性負載的等效阻抗小于每個負載單獨的阻抗值。比如，兩個并聯的2Ω電阻相當于一個1Ω的電阻。因此，一般來說，一個低RDS(ON)值的MOS管，具備大額定電流，就可以讓設計人員把電源中所用MOS管的數目減至最少。

除了RDS(ON)之外，在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數也對電源設計人員非常重要。許多情況下，設計人員應該密切關注數據手冊上的安全工作區(qū)(SOA)曲線，該曲線同時描述了漏極電流和漏源電壓的關系?；旧?，SOA含義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。在ORingFET應用中，首要問題是：在"完全導通狀態(tài)"下FET的電流傳送能力。實際上無需SOA曲線也可以獲得漏極電流值。

若設計是實現熱插拔功能，SOA曲線也許更能發(fā)揮用途。在這種情況下，MOS管要部分導通工作。SOA曲線含義了不同脈沖期間的電流和電壓限值。

注意剛剛提到的額定電流，這也是值得考慮的熱參數，因為始終導通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，日漸升高的結溫也會導致RDS(ON)的新增。MOS管數據手冊規(guī)定了熱阻抗參數，其含義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的最簡單的含義是結到管殼的熱阻抗。細言之，在實際測量中其代表從器件結(關于一個垂直MOS管，即裸片的上表面附近)到封裝外表面的熱阻抗，在數據手冊中有描述。若采用powerQFN封裝，管殼含義為這個大漏極片的中心。因此，RθJC含義了裸片與封裝系統的熱效應。RθJA含義了從裸片表面到周圍環(huán)境的熱阻抗，而且一般通過一個腳注來標明與pCB設計的關系，包括鍍銅的層數和厚度。

開關電源中的MOS管

現在讓我們考慮開關電源應用，以及這種應用如何要從一個不同的角度來審視數據手冊。從含義上而言，這種應用要MOS管定期導通和關斷。同時，有數十種拓撲可用于開關電源，這里考慮一個簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關功能(圖2)，這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。目前，設計人員常常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。

圖2：用于開關電源應用的MOS管對。(DC-DC控制器)

顯然，電源設計相當復雜，而且也沒有一個簡單的公式可用于MOS管的評估。但我們不妨考慮一些關鍵的參數，以及這些參數為何至關重要。傳統上，許多電源設計人員都采用一個綜合品質因數(柵極電荷QG×導通阻抗RDS(ON))來評估MOS管或對之進行等級劃分。

柵極電荷和導通阻抗之所以重要，是因為二者都對電源的效率有直接的影響。對效率有影響的損耗重要分為兩種形式--傳導損耗和開關損耗。

柵極電荷是出現開關損耗的重要原因。柵極電荷單位為納庫侖(nc)，是MOS管柵極充電放電所需的能量。柵極電荷和導通阻抗RDS(ON)在半導體設計和制造工藝中相互關聯，一般來說，器件的柵極電荷值較低，其導通阻抗參數就稍高。開關電源中第二重要的MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。

某些特殊的拓撲也會改變不同MOS管參數的相關品質，例如，可以把傳統的同步降壓轉換器與諧振轉換器做比較。諧振轉換器只在VDS(漏源電壓)或ID(漏極電流)過零時才進行MOS管開關，從而可把開關損耗降至最低。這些技術被成為軟開關或零電壓開關(ZVS)或零電流開關(ZCS)技術。由于開關損耗被最小化，RDS(ON)在這類拓撲中顯得更加重要。

低輸出電容(COSS)值對這兩類轉換器都大有好處。諧振轉換器中的諧振電路重要由變壓器的漏電感與COSS決定。此外，在兩個MOS管關斷的死區(qū)時間內，諧振電路必須讓COSS完全放電。

低輸出電容也有利于傳統的降壓轉換器(有時又稱為硬開關轉換器)，不過原因不同。因為每個硬開關周期存儲在輸出電容中的能量會丟失，反之在諧振轉換器中能量反復循環(huán)。因此，低輸出電容關于同步降壓調節(jié)器的低邊開關尤其重要。