鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量:1097次 | 2020年03月04日
功率開(kāi)關(guān)芯片SM7525功率兼容應(yīng)用設(shè)計(jì)方案
概述
高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片SM7525是應(yīng)用于離線式小功率AC/DC開(kāi)關(guān)電源高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片,在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度恒流輸出,精度小于±5%,無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償,并可使系統(tǒng)節(jié)省光耦,TL431以及變壓器輔助繞組等元件,降低成本。
芯片內(nèi)部集成了逐周期峰值電流限制,F(xiàn)B過(guò)壓保護(hù),輸出開(kāi)/短路保護(hù)和開(kāi)機(jī)軟啟動(dòng)等保護(hù)功能,以提高系統(tǒng)的可靠性。
高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片SM7525特點(diǎn)
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持:反激及低成本
充電溫度:0~45℃
-放電溫度:-40~+55℃
-40℃最大放電倍率:1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%
BUCK-Boost
采用730V單芯片集成工藝
寬電壓85Vac~265Vac輸入電壓范圍內(nèi)恒流精度小于±5%
全電壓范圍內(nèi)兼容1~5W
專利無(wú)需輔助繞組的原邊
標(biāo)稱電壓:28.8V
標(biāo)稱容量:34.3Ah
電池尺寸:(92.75±0.5)* (211±0.3)* (281±0.3)mm
應(yīng)用領(lǐng)域:勘探測(cè)繪、無(wú)人設(shè)備
反饋控制技術(shù)可使系統(tǒng)節(jié)省光耦、431等元件
無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償
內(nèi)置前沿消隱電路(LEB)
逐周期峰值電流比較
輸出開(kāi)/短路保護(hù)
內(nèi)置開(kāi)機(jī)軟啟動(dòng)
內(nèi)置FB過(guò)壓保護(hù)及短路保護(hù)等功能
封裝形式:SOp8
高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片SM7525應(yīng)用領(lǐng)域
LED照明驅(qū)動(dòng)
高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片SM7525功能表述
SM7525芯片是應(yīng)用于離線式小功率AC/DC開(kāi)關(guān)電源的高性能原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片,全電壓輸入范圍內(nèi),恒流輸出精度小于±5%。SM7525芯片通過(guò)原邊采樣的方式來(lái)控制系統(tǒng)的輸出,內(nèi)部集成高壓工藝,節(jié)省光耦和TL431等元件。芯片內(nèi)部集成了逐周期峰值電流限制,F(xiàn)B過(guò)壓保護(hù),輸出開(kāi)/短路保護(hù)和開(kāi)機(jī)軟啟動(dòng)等保護(hù)功能,以提高系統(tǒng)的可靠性。
高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片SM7525啟動(dòng)和控制SM7525芯片內(nèi)部集成高壓功率開(kāi)關(guān),通過(guò)高壓?jiǎn)?dòng),省掉傳統(tǒng)電路的外部啟動(dòng)電阻,以及輔助繞組的供電電路,極大的降低了系統(tǒng)成本。
工作原理
SM7525芯片要實(shí)現(xiàn)原邊高精度的恒流控制,反激電源應(yīng)用系統(tǒng)必須工作在不連續(xù)模式(DCM)下。芯片通過(guò)檢測(cè)原邊輔助繞組的反激電壓,來(lái)控制輸出電流電壓。輸出電流僅
由變壓器的匝比及峰值電流控制:
高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片SM7525工作頻率SM7525芯片開(kāi)關(guān)頻率由負(fù)載大小來(lái)控制,不需要外接頻率設(shè)置元件(最大開(kāi)關(guān)頻率要小于65K)。在不連續(xù)模式的反激電源中,最大輸出功率==其中Lp為原邊繞組電感量,Ip為原邊繞組峰值電流。由公式3可知,原邊繞組電感量的改變會(huì)導(dǎo)致最大輸出功率和恒流模式下輸出的恒流電流的變化。為了補(bǔ)償原邊電感量變化,芯片內(nèi)部環(huán)路將開(kāi)關(guān)頻率鎖定,鎖定的開(kāi)關(guān)頻率可表示為:
高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片SM7525:
因?yàn)橄艜r(shí)間TDEMAG和電感量成反比,通過(guò)頻率鎖定,Lp和FSW的乘積保持不變。所以最大輸出功率和恒流模式下的恒流電流不會(huì)隨原邊電感量變化。SM7525芯片能
最大補(bǔ)償電感量±10%的變化。
高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片SM7525電流檢測(cè)和LEB
SM7525芯片通過(guò)CS端檢測(cè)外置檢測(cè)電阻上的電壓控制功率開(kāi)關(guān)管的動(dòng)作,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)變壓器原邊電流控制,提供逐周期峰值電流限制。開(kāi)關(guān)電流通過(guò)外接的檢測(cè)電阻輸入芯片CS腳。
為了消除高壓功率管在開(kāi)啟瞬間產(chǎn)生的尖峰造成的干擾,內(nèi)置前沿消隱電路,避免芯片在功率管開(kāi)啟瞬間產(chǎn)生誤動(dòng)作,這樣就可以省去外圍RC濾波電路,節(jié)約系統(tǒng)成本。
高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片SM7525保護(hù)控制
SM7525芯片完善的各種保護(hù)功能提高了電源系統(tǒng)的可靠性,包括:逐周期峰值電流限制,輸出短路保護(hù),F(xiàn)B過(guò)壓保護(hù),軟啟動(dòng)控制等。
IC的5、6腳需要鋪銅散熱,即頂層與底層均需要鋪銅,以降低芯片的溫度及提高系統(tǒng)的性能。
DRAIN腳布線時(shí)到變壓器的環(huán)路距離盡量短,環(huán)路面積要小,不能采用大面積鋪銅。
FB腳布線時(shí),一定要遠(yuǎn)離高壓環(huán)路,間距≥1mm以免受到干擾。