開關(guān)電源設(shè)計中，我們常常使用到一個電阻串聯(lián)一個電容構(gòu)成的RC電路，RC電路性能會直接影響到產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性。本文將為大家介紹一種既能降低開關(guān)管損耗，且可降低變壓器的漏感和尖峰電壓的RC電路。

高頻開關(guān)電源在開關(guān)管關(guān)斷時，電壓和電流的重疊引起的損耗是開關(guān)電源損耗的主要部分，同時，由于電路中存在寄生電感和寄生電容，在功率開關(guān)管關(guān)斷時，電路中也會出現(xiàn)過電壓并且產(chǎn)生振蕩。如果尖峰電壓過高，就會損壞開關(guān)管。同時，振蕩的存在也會使輸出紋波增大。為了降低關(guān)斷損耗和尖峰電壓，需要在開關(guān)管兩端并聯(lián)RC緩沖電路以改善電路的性能。

圖1

圖1所示的是一個簡單的反激式開關(guān)電源電路，從圖中可以看出RC電路在圖中的出現(xiàn)過6次從RaCa—RfCf，每個RC電路的位置不同，作用也不一樣。本文介紹的是圖1中RbCb，RcCc構(gòu)成的RC吸收電路。這兩個RC電路在圖中主要作用是：

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減少導(dǎo)通或關(guān)斷損耗；

降低電壓或電流尖峰；

可以間接的改善EMI特性。

在設(shè)計RC吸收電路時，我們必須了解整個電源網(wǎng)絡(luò)的幾個重要參數(shù)，比如輸入電壓、輸入電流、尖峰電壓、尖峰電流等。在圖1所示當(dāng)Q1關(guān)斷時，源極電壓開始上升到2Vdc，而電容Cb限制了源極（D）電壓的上升速度，同時減小了上升電壓和下降電流的重疊，從而減低了開關(guān)管Q1的損耗。而在下次開關(guān)關(guān)斷之前，Cb必須將已經(jīng)充滿的電壓放完，放電路徑為Cb、Rb、Q1。

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圖2開關(guān)管源極（D）的Vds電壓波形

圖2-A表示的是開關(guān)管Q1沒有加RC吸收電路的Vds電壓波形，圖中明顯的看出，當(dāng)開關(guān)管Q1斷開時，Vds電壓迅速上升至最高點，而后伴隨這震蕩下跌，震蕩頻率為20MHZ。

圖2-B表示的是開關(guān)管上加了RC吸收電路的Vds電壓波形，相對與圖2-A，在加了RC吸收電路后，開關(guān)管斷開瞬間，Vds電壓上升比較平緩，且在上升到最高電壓跌落時不會產(chǎn)生高頻震蕩，EMI特性也會偏好。

在感性負(fù)載中，開關(guān)器件關(guān)斷的瞬間，如果此時感性負(fù)載的磁通不為零，根據(jù)愣次定律便會產(chǎn)生一個自感電動勢，對外界辭放磁場儲能，為簡單起見，一般都采用RC吸收回路，將這部份能量以熱能的方式消耗掉。

設(shè)計RC吸收回路參數(shù)，需要先確定磁場儲能的大小，在反激變壓器中，磁場儲能由兩部份辭放，其中大部份是通過互感向二次側(cè)提供能量，只有漏感部份要通過RC回路處理，需要測量勵磁電感，互感及漏感值，再求得RC回路的初始電流值。

R的取值，以開關(guān)所能承受的瞬時反壓，比初始電流值；此值過小則動態(tài)功耗過大，引值過大則達(dá)不到保護(hù)開關(guān)的作用；

C的取值，則需要滿足在鉗位電平下能夠儲存磁能的一半，且滿足一定的dV/dt，C關(guān)斷緩沖，R開通限流，電阻的阻值基本可以按照：

R=（sqrt（Llk/Cj））/n這個公式計算，功率根據(jù)實際情況選擇，C一般都在102——103之間選擇，選C時在考慮吸收效果的同時還需考慮EMI的相位和后面輸出電容的紋波電流應(yīng)力，則有：

C=（Ip*Tf）/（2*2*Vdc）

Ip：峰值電流

Tf：集電極電流從初始值下降到零的時間

Vdc：輸入的直流電壓

R=Ton（min）/（3C）

Ton（min）：開關(guān)管最小的導(dǎo)通時間

總結(jié)

根據(jù)以上給出的公式，可以很方便地選擇出合適的RC吸收電路。但在設(shè)計時，應(yīng)該根據(jù)整個電源設(shè)計的性能指標(biāo)，通過實際調(diào)試才能得到真正合適的參數(shù)。有時候，為了達(dá)到系統(tǒng)的性能指標(biāo)，犧牲一定的效率也是必要的?？傊谠O(shè)計RC吸收電路參數(shù)時，必須綜合考慮性能和效率，最終選擇合適的RC參數(shù)。

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