導(dǎo)讀：由劍橋大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的科學(xué)家開(kāi)發(fā)了一種新方法，將銅保護(hù)層直接印在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池上，以保護(hù)活性層不受在生產(chǎn)后期經(jīng)常造成的損傷。使用該層的電池與硅電池進(jìn)行了不同串聯(lián)組合測(cè)試，最高效率達(dá)到24.4%。

最近在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池效率方面的進(jìn)展已經(jīng)得到了很好的證明，而且這項(xiàng)技術(shù)似乎已經(jīng)在幾年內(nèi)接近于大規(guī)模商業(yè)生產(chǎn)。

然而，阻礙鈣鈦礦發(fā)展的重要問(wèn)題之一是鈣鈦礦層本身的脆弱性。這通常被證明是對(duì)水分和其他條件的敏感電池可能面對(duì)的實(shí)地，他們也可能遭受損害，因?yàn)槠渌麑映练e在其上。

通常用于在鈣鈦礦上沉積透明電極層的濺射過(guò)程在這里是一個(gè)特殊的問(wèn)題。已經(jīng)有幾種方法可以防止在此過(guò)程中對(duì)鈣鈦礦的破壞。然而，劍橋大學(xué)的科學(xué)家們對(duì)這個(gè)問(wèn)題采取了不同的方法，他們說(shuō)這將為高效、半透明的鈣鈦礦設(shè)備開(kāi)辟新的可能性。

該小組開(kāi)發(fā)了一種在鈣鈦礦上“打印”一層氧化銅的方法。該層可以在低溫下沉積，使用一種不破壞它的技術(shù)。即使只有3納米厚，氧化銅層也能在透明導(dǎo)電氧化物濺射過(guò)程中保護(hù)鈣鈦礦免受損害。在發(fā)表于ACS能源快報(bào)的一篇論文中，描述了在鈣鈦礦光電上快速氣相沉積高流動(dòng)性p型緩沖層以獲得高效半透明器件的過(guò)程。

過(guò)針刺 低溫防爆18650 2200mah

符合Exic IIB T4 Gc防爆標(biāo)準(zhǔn)

充電溫度：0~45℃
-放電溫度：-40~+55℃
-40℃最大放電倍率：1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%

點(diǎn)擊詳情

該大學(xué)的一份聲明中寫(xiě)道:“成功的關(guān)鍵是他們的氧化物生長(zhǎng)方法能夠復(fù)制精確的、基于真空的技術(shù)的質(zhì)量，但要在露天進(jìn)行，而且要快得多。這最小化了對(duì)鈣鈦礦的任何損害，同時(shí)確保氧化物生長(zhǎng)的密度很高，而不要非常薄的一層。”

使用氧化銅層制作的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的效率最高可達(dá)16.7%。這種半透明電池被集成到一系列硅電池技術(shù)中，包括由新加坡太陽(yáng)能研究所(SERIS)開(kāi)發(fā)的p型PERC和n型“壟斷”電池。利用SERIS太陽(yáng)能電池的四端串聯(lián)可實(shí)現(xiàn)24.4%的最高效率。

據(jù)小組調(diào)查，劍橋的氧化銅沉積技術(shù)有可能擴(kuò)大到商業(yè)化生產(chǎn)，而且它的研究代表了硅/鈣鈦礦串聯(lián)電池集成的新方法，這也將使開(kāi)發(fā)其他要高質(zhì)量保護(hù)層的設(shè)備成為可能。