什么是MOS管？它有什么特點(diǎn)？在常見的控制器電路中，MOS管有幾個工作狀態(tài)，而MOS重要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，本文就來探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。MOS的工作狀態(tài)分為：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。

MOS對應(yīng)這些狀態(tài)的重要損耗：開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在MOS承受規(guī)格之內(nèi)，MOS即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同MOS這個差距可能很大。

MOS損壞原因

MOS損壞重要原因：

過流——持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀。

過壓——源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿。

靜電——靜電擊穿，CMOS電路都怕靜電。

MOS開關(guān)原理

MOS是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為MOS內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個內(nèi)阻大小基本決定了MOS芯片能承受的最大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，最有關(guān)的是熱阻），內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱?。?。

防止MOS燒毀

MOS問題遠(yuǎn)沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變），而MOS源級和漏級間由截止到導(dǎo)通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。

然而，這三個等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們相互影響，并不是獨(dú)立的，假如獨(dú)立的就很簡單了。

其中一個關(guān)鍵電容就是柵極和漏級間的電容Cgd，這個電容業(yè)界稱為米勒電容。這個電容不是恒定的，隨柵極和漏級間電壓變化而迅速變化。這個米勒電容是柵極和源級電容充電的絆腳石，因?yàn)闁艠O給柵-源電容Cgs充電達(dá)到一個平臺后，柵極的充電電流必須給米勒電容Cgd充電。這時(shí)柵極和源級間電壓不再升高，達(dá)到一個平臺，這個是米勒平臺（米勒平臺就是給Cgd充電的過程），米勒平臺大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給Cgs充電，到達(dá)一定平臺后再給Cgd充電）。

因?yàn)檫@個時(shí)候源級和漏級間電壓迅速變化，內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電，這些電流脈沖會導(dǎo)致MOS寄生電感出現(xiàn)很大感抗。這里面就有電容、電感、電阻組成震蕩電路（能形成2個回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高振蕩幅度越大，所以最關(guān)鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。

Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒振蕩。防止MOS管燒毀。

過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒振蕩，但過慢的充電雖減小了振蕩，但會延長開關(guān)從而新增開關(guān)損耗。MOS開通過程源級和漏級間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻（導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓MOS只有幾毫歐姆）的一個轉(zhuǎn)變過程。

比如一個MOS最大電流100a，電池電壓96v，在開通過程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺時(shí)）MOS發(fā)熱功率是p=V*I（此時(shí)電流已達(dá)最大，負(fù)載尚未跑起來，所有的功率都降落在MOS管上），p=96*100=9600w！這時(shí)它發(fā)熱功率最大，然后發(fā)熱功率迅速降低直到完全導(dǎo)通時(shí)功率變成100*100*0.003=30w（這里假設(shè)這個MOS導(dǎo)通內(nèi)阻3毫歐姆），開關(guān)過程中這個發(fā)熱功率變化是驚人的。

假如開通時(shí)間慢，意味著發(fā)熱從9600w到30w過渡的慢，MOS結(jié)溫會升高的厲害。所以開關(guān)越慢，結(jié)溫越高，容易燒MOS。為了不燒MOS，只能降低MOS限流或者降低電池電壓。比如給它限制50a或電壓降低一半成48v，這樣開關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半，不燒管子了。

這也是高壓控容易燒管子原因，高壓控制器和低壓的只有開關(guān)損耗不相同（開關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比，假設(shè)限流相同），導(dǎo)通損耗完全受MOS內(nèi)阻決定，和電池電壓沒任何關(guān)系。

其實(shí)整個MOS開通過程非常復(fù)雜。里面變量太多?？傊褪情_關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩）。但是往往米勒震蕩很厲害（假如米勒震蕩很嚴(yán)重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關(guān)損耗也大，并且上臂MOS震蕩更加有可能引起下臂MOS誤導(dǎo)通，形成上下臂短路。

所以這個很考驗(yàn)設(shè)計(jì)師的驅(qū)動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點(diǎn)（一般開通過程不超過1us）。開通損耗這個最簡單，只和導(dǎo)通電阻成正比，想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。

▼下面介紹點(diǎn)對普通用戶實(shí)用的▼

MOS選擇的重要參數(shù)簡要說明，以datasheet舉例說明。

柵極電荷：Qgs、Qgd。

Qgs：

指的是柵極從0v充電到對應(yīng)電流米勒平臺時(shí)總充入電荷（實(shí)際電流不同，這個平臺高度不同，電流越大，平臺越高，這個值越大）。這個階段是給Cgs充電（也相當(dāng)于Ciss，輸入電容）。

Qgd：

指的是整個米勒平臺的總充電電荷（在這稱為米勒電荷）。這個過程給Cgd（Crss，這個電容隨著gd電壓不同迅速變化）充電。

▼舉例說明▼

以型號stp75nf75的MOS管為例。

普通75管Qgs是27nc，Qgd是47nc。結(jié)合它的充電曲線。

進(jìn)入平臺前給Cgs充電，總電荷Qgs27nc，平臺米勒電荷Qgd47nc。

而在開關(guān)過沖中，MOS重要發(fā)熱區(qū)間是粗紅色標(biāo)注的階段。從Vgs開始超過閾值電壓，到米勒平臺結(jié)束是重要發(fā)熱區(qū)間。其中米勒平臺結(jié)束后MOS基本完全打開這時(shí)損耗是基本導(dǎo)通損耗（MOS內(nèi)阻越低損耗越低）。

閾值電壓前，MOS沒有打開，幾乎沒損耗（只有漏電流引起的一點(diǎn)損耗）。其中又以紅色拐彎地方損耗最大（Qgs充電將近結(jié)束，快到米勒平臺和剛進(jìn)入米勒平臺這個過程發(fā)熱功率最大（更粗線表示）。

所以一定充電電流下，紅色標(biāo)注區(qū)間總電荷小的管子會很快度過，這樣發(fā)熱區(qū)間時(shí)間就短，總發(fā)熱量就低。所以理論上選擇Qgs和Qgd小的MOS管能快速度過開關(guān)區(qū)。

導(dǎo)通內(nèi)阻：Rds（on）;這個耐壓一定情況下是越低越好。不過不同廠家標(biāo)的內(nèi)阻是有不同測試條件的。測試條件不同，內(nèi)阻測量值會不相同。同一管子，溫度越高內(nèi)阻越大（這是硅半導(dǎo)體材料在MOS制造工藝的特性，改變不了，能稍改善）。所以大電流測試內(nèi)阻會增大（大電流下結(jié)溫會顯著升高），小電流或脈沖電流測試，內(nèi)阻降低（因?yàn)榻Y(jié)溫沒有大幅升高，沒熱積累）。

有的管子標(biāo)稱典型內(nèi)阻和你自己用小電流測試幾乎相同，而有的管子自己小電流測試比標(biāo)稱典型內(nèi)阻低很多（因?yàn)樗臏y試標(biāo)準(zhǔn)是大電流）。當(dāng)然這里也有廠家標(biāo)注不嚴(yán)格問題，不要完全相信。所以選擇標(biāo)準(zhǔn)是：找Qgs和Qgd小的MOS管，并同時(shí)符合低內(nèi)阻的M管。以上就是MOS管解析，希望能給大家?guī)椭?/p>