亚洲A∨无码澳门在线_亚洲色偷偷色噜噜狠狠99_国产普通话刺激_女生免费黄视频

低溫18650 3500
無磁低溫18650 2200
過針刺低溫18650 2200
低溫磷酸3.2V 20Ah
21年專注鋰電池定制

基于開關(guān)電源設(shè)計(jì)中浪涌抑制模塊的方法拾遺

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1087次  |  2020年05月18日  

目前,考慮到體積,成本等因素,大多數(shù)AC/DC變換器輸入整流濾波采用電容輸入式濾波方式,電路原理如圖1所示。


由于電容器上電壓不能躍變,在整流器上電之初,濾波電容電壓幾乎為零,等效為整流輸出端短路。如在最不利的情況(上電時(shí)的電壓瞬時(shí)值為電源電壓峰值)上電,則會(huì)出現(xiàn)遠(yuǎn)高于整流器正常工作電流的輸入浪涌電流,如圖2所示。當(dāng)濾波電容為470μF并且電源內(nèi)阻較小時(shí),第一個(gè)電流峰值將超過100A,為正常工作電流峰值的10倍。


圖2上電后輸入浪涌電流


浪涌電流會(huì)造成電源電壓波形塌陷,使得供電質(zhì)量變差,甚至?xí)绊懫渌秒娫O(shè)備的工作以及使保護(hù)電路動(dòng)作;由于浪涌電流沖擊整流器的輸入熔斷器,使其在若干次上電過程的浪涌電流沖擊下而非過載熔斷。為防止這類現(xiàn)象發(fā)生,而不得不選用更高額定電流的熔斷器,但將出現(xiàn)過載時(shí)熔斷器不能熔斷,起不到保護(hù)整流器及用電電路的用途;過高的上電浪涌電流對整流器和濾波電容器造成不可恢復(fù)的損壞。因此,必須對帶有電容濾波的整流器輸入浪涌電流加以限制。上電浪涌電流的限制限制上電浪涌電流最有效的方法是,在整流器與濾波電容器之間,或在整流器的輸入側(cè)加一負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC),如圖3所示。


利用負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻在常溫狀態(tài)下具有較高阻值來限制上電浪涌電流,上電后由于NTC流過電流發(fā)熱使其電阻值降低以減小NTC上的損耗。這種方法雖然簡單,但存在的問題是限制上電浪涌電流性能受環(huán)境溫度和NTC的初始溫度影響,在環(huán)境溫度較高或在上電時(shí)間間隔很短時(shí),NTC起不到限制上電浪涌電流的用途,因此,這種限制上電浪涌電流方式僅用于價(jià)格低廉的微機(jī)電源或其他低成本電源。而在彩色電視機(jī)和顯示器上,限制上電浪涌電流則采用串一限流電阻,電路如圖4所示。


最常見的應(yīng)用是彩色電視機(jī),這種方法的優(yōu)點(diǎn)是簡單,可靠性高,允許在寬環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,其缺點(diǎn)是限流電阻上有損耗,降低了電源效率。事實(shí)上整流器上電處于穩(wěn)態(tài)工作后,這一限流電阻的限流用途已完成,僅起到消耗功率、發(fā)熱的負(fù)用途,因此,在功率較大的開關(guān)電源中,采用上電后經(jīng)一定延時(shí)后用一機(jī)械觸點(diǎn)或電子觸點(diǎn)將限流電阻短路,如圖5所示。這種限制上電浪涌電流方式性能好,但電路復(fù)雜,占用體積較大。為使應(yīng)用這種抑制上電浪涌電流方式,象僅僅串限流電阻相同方便,本文推出開關(guān)電源上電浪涌電流抑制模塊。


圖5短接電阻的方法


帶有限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊將功率電子開關(guān)(可以是MOSFET或SCR)與控制電路封裝在一個(gè)相對很小的模塊(如400W以下為25mm×20mm×11mm)中,引出3~4個(gè)引腳,外接電路如圖6(a)所示。整流器上電后最初一段時(shí)間,外接限流電阻抑制上電浪涌電流,上電浪涌電流結(jié)束后,模塊導(dǎo)通將限流電阻短路,這樣的上電過程的輸入電流波形如圖6(b)所示。很顯然上電浪涌電流峰值被有效抑制,這種上電浪涌電流抑制模塊需外接一限流電阻,用起來很不方便,如何將外接電阻省掉將是電源設(shè)計(jì)者所希望的。


圖6上電浪涌電流抑制模塊無限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊


有人提出一種無限流電阻的上電浪涌電流抑制電路如圖7(a)所示,其上電電流波形如圖7(b)所示,其思路是將電路設(shè)計(jì)成線形恒流電路。實(shí)際電路會(huì)由于兩極放大的高增益而出現(xiàn)自激振蕩現(xiàn)象,但不影響電路工作。從原理上講,這種電路是可行的,但在使用時(shí)則有如下問題難以解決:如220V輸入的400W開關(guān)電源的上電電流至少要達(dá)到4A,如上電時(shí)剛好是電網(wǎng)電壓峰值,則電路將承受4×220×=1248W的功率。不僅遠(yuǎn)超出IRF840的125W額定耗散功率,也遠(yuǎn)超出IRFp450及IRFp460的150W額定耗散功率,即使是ApT的線性MOSFET也只有450W的額定耗散功率。因此,如采用IRF840或IRFp450的結(jié)果是,MOSFET僅能承受有限次數(shù)的上電過程便可能被熱擊穿,而且從成本上看,IRF840的價(jià)格可以接受,而IRFp450及IRFp460則難以接受,ApT的線性MOSFET更不可能接受。


圖7一種上電浪涌電流抑制電路


欲真正實(shí)現(xiàn)無限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊,需解決功率器件在上電過程的功率損耗問題。作者推出的另一種上電浪涌電流抑制模塊的基本思想是,使功率器件工作在開關(guān)狀態(tài),從而解決了功率器件上電過程中的高功率損耗問題,而且電路簡單。電路如圖8(a)和圖8(b)所示,上電電流波形如圖8(c)所示。


圖8新型上電浪涌電流抑制電路


測試結(jié)果


A模塊在400W開關(guān)電源中應(yīng)用時(shí),外殼溫升不大于40℃,允許間隔20ms的頻繁重復(fù)上電,最大峰值電流不大于20A,外形尺寸25mm×20mm×11mm或35mm×25mm×11mm。B模塊和C模塊用于800W的額定溫升不大于40℃,重復(fù)上電時(shí)間間隔不限,上電峰值電流為正常工作時(shí)峰值電流的3~5倍,外形尺寸35mm×30mm×11mm或者50mm×30mm×12mm。模塊的鋁基板面貼在散熱器上,模塊溫度不高于散熱器5℃。


鉅大鋰電,22年專注鋰電池定制

鉅大核心技術(shù)能力