1、引言

隨著能源效率和環(huán)保的日益重要，人們對開關(guān)電源待機(jī)效率期望越來越高，客戶要求電源制造商供應(yīng)的電源產(chǎn)品能滿足BLUEANGEL，ENERGYSTAR，ENERGY2000等綠色能源標(biāo)準(zhǔn)，而歐盟對開關(guān)電源的要求是：到2005年，額定功率為0.3W~15W，15W~50W和50W~75W的開關(guān)電源，待機(jī)功耗需分別小于0.3W，0.5W和0.75W。而目前大多數(shù)開關(guān)電源由額定負(fù)載轉(zhuǎn)入輕載和待機(jī)狀態(tài)時(shí)，電源效率急劇下降，待機(jī)效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計(jì)工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。

2、開關(guān)電源功耗分析

要減小開關(guān)電源待機(jī)損耗，提高待機(jī)效率，首先要分析開關(guān)電源損耗的構(gòu)成。以反激式電源為例，其工作損耗重要表現(xiàn)為：MOSFET導(dǎo)通損耗

MOSFET寄生電容損耗

開關(guān)交疊損耗，pWM控制器及其啟動電阻損耗，輸出整流管損耗，箝位保護(hù)電路損耗，反饋電路損耗等。其中前三個損耗與頻率成正比關(guān)系，即與單位時(shí)間內(nèi)器件開關(guān)次數(shù)成正比。

在待機(jī)狀態(tài)，主電路電流較小，MOSFET導(dǎo)通時(shí)間ton很小，電路工作在DCM模式，故相關(guān)的導(dǎo)通損耗，次級整流管損耗等較小，此時(shí)損耗重要由寄生電容損耗和開關(guān)交疊損耗和啟動電阻損耗構(gòu)成。

3、提高待機(jī)效率的方法

根據(jù)損耗分析可知，切斷啟動電阻，降低開關(guān)頻率，減小開關(guān)次數(shù)可減小待機(jī)損耗，提高待機(jī)效率。具體的方法有：降低時(shí)鐘頻率;由高頻工作模式切換至低頻工作模式，如準(zhǔn)諧振模式（QuasiResonant，QR）切換至脈寬調(diào)制（pulseWidthModulation，pWM），脈寬調(diào)制切換至脈沖頻率調(diào)制（pulseFrequencyModulation，pFM）;可控脈沖模式（BurstMode）。

3.1切斷啟動電阻

關(guān)于反激式電源，啟動后控制芯片由輔助繞組供電，啟動電阻上壓降為300V左右。設(shè)啟動電阻取值為47kΩ，消耗功率將近2W。要改善待機(jī)效率，必須在啟動后將該電阻通道切斷。TOpSWITCH，ICE2DS02G內(nèi)部設(shè)有專門的啟動電路，可在啟動后關(guān)閉該電阻。若控制器沒有專門啟動電路，也可在啟動電阻串接電容，其啟動后的損耗可逐漸下降至零。缺點(diǎn)是電源不能自重啟，只有斷開輸入電壓，使電容放電后才能再次啟動電路。而圖1所示的啟動電路，則可防止以上問題，而且該電路功耗僅為0.03W。不過電路新增了復(fù)雜度和成本。

圖1UC3842反激式電源啟動電路

3.2降低時(shí)鐘頻率

時(shí)鐘頻率可平滑下降或突降。平滑下降就是當(dāng)反饋量超過某一閾值，通過特定模塊，實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘頻率的線性下降。pOWER公司的TOpSwitch-GX和SG公司的SG6848芯片內(nèi)置了這樣的模塊，能根據(jù)負(fù)載大小調(diào)節(jié)頻率，圖2所示是SG6848時(shí)鐘頻率與其反饋電流的關(guān)系。

圖2SG6848反饋電流與時(shí)鐘頻率的關(guān)系

突降實(shí)現(xiàn)方法如圖3：以UCC3895為例，當(dāng)電源處于正常負(fù)載狀態(tài)時(shí)，Q1導(dǎo)通，其時(shí)鐘周期為：

當(dāng)電源進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)時(shí)，Q1關(guān)閉，時(shí)鐘周期增大為

即開關(guān)頻率減小。開關(guān)損耗降為降頻前的

（小于1）倍。L5991和Infineon公司的CoolSetF2系列已經(jīng)集成了該功能。

3.3切換工作模式

3.3.1QR→pWM

關(guān)于工作在高頻工作模式的開關(guān)電源，在待機(jī)時(shí)切換至低頻工作模式可減小待機(jī)損耗。例如，關(guān)于準(zhǔn)諧振式開關(guān)電源（工作頻率為幾百kHz到幾MHz），可在待機(jī)時(shí)切換至低頻的脈寬調(diào)制控制模式pWM（幾十kHz）。

IRIS40xx芯片就是通過QR與pWM切換來提高待機(jī)效率的。圖4是IRIS4015構(gòu)成的反激式開關(guān)電源，重載時(shí)，輔助繞組電壓大，R1分壓大于0.6V，Q1導(dǎo)通，輔助準(zhǔn)諧振信號經(jīng)過D1，D2，R3，C2構(gòu)成的延時(shí)電路到達(dá)IRIS4015的FB腳，內(nèi)部比較器對該信號進(jìn)行比較，電路工作在準(zhǔn)諧振模式。當(dāng)電源處于輕載和待機(jī)時(shí)候，輔助繞組電壓較小，Q1關(guān)斷，諧振信號不能傳輸至FB端，F(xiàn)B電壓小于芯片內(nèi)部的一個門限電壓，不能觸發(fā)準(zhǔn)諧振模式，電路則工作在更低頻的脈寬調(diào)制控制模式。

圖4由IRIS4015構(gòu)成的QR/pWM反激式電源電路

3.3.2pWM→pFM

關(guān)于額定功率時(shí)工作在pWM模式的開關(guān)電源，，也可以通過切換至pFM模式提高待機(jī)效率，即固定開通時(shí)間，調(diào)節(jié)關(guān)斷時(shí)間，負(fù)載越低，關(guān)斷時(shí)間越長，工作頻率也越低。圖5是采用NS公司的LM2618控制的Buck轉(zhuǎn)換器電路和分別采用pWM和pFM控制方法的效率比較曲線。由圖可見，在輕載時(shí)采用pFM模式的電源效率明顯大于采用pWM模式時(shí)的效率，且負(fù)載越低，pFM效率優(yōu)勢越明顯。將待機(jī)信號加在其pW/引腳上，在額定負(fù)載條件下，該引腳為高電平，電路工作在pWM模式，當(dāng)負(fù)載低于某個閾值時(shí)，該引腳被拉為低電平，電路工作在pFM模式。實(shí)現(xiàn)pWM和pFM的切換，也就提高了輕載和待機(jī)狀態(tài)時(shí)的電源效率。

通過降低時(shí)鐘頻率和切換工作模式實(shí)現(xiàn)降低待機(jī)工作頻率，提高待機(jī)效率，可保持控制器一直在運(yùn)作，在整個負(fù)載范圍中，輸出都能被妥善的調(diào)節(jié)。即使負(fù)載從零激增至滿負(fù)載的情況下，能夠快速反應(yīng)，反之亦然。輸出電壓降和過沖值都保持在允許范圍內(nèi)。

3.4可控脈沖模式（BurstMode）

可控脈沖模式，也可稱為跳周期控制模式（SkipCycleMode）是指當(dāng)處于輕載或待機(jī)條件時(shí)，由周期比pWM控制器時(shí)鐘周期大的信號控制電路某一環(huán)節(jié)，使得pWM的輸出脈沖周期性的有效或失效，如圖6所示。這樣即可實(shí)現(xiàn)恒定頻率下通過減小開關(guān)次數(shù)，增大占空比來提高輕載和待機(jī)的效率。該信號可以加在反饋通道，pWM信號輸出通道，pWM芯片的使能引腳（如LM2618，L6565）或者是芯片內(nèi)部模塊（如NCp1200，F(xiàn)SD200，L6565和TinySwitch系列芯片）。

NCp1200的內(nèi)部跳周期模塊結(jié)構(gòu)見圖7，當(dāng)反饋檢測腳FB的電壓低于1.2V（該值可編程）時(shí)，跳周期比較器控制Q觸發(fā)器，使輸出關(guān)閉若干時(shí)鐘周期，也即跳過若干個周期，負(fù)載越輕，跳過的周期也越多。為免音頻噪音，只有在峰值電流降至某個設(shè)定值時(shí)，跳周期模式才有效。

圖7NCp1200跳周期模塊結(jié)構(gòu)

而FSD200則是通過控制內(nèi)部驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)可控脈沖模式，即將

腳的反饋電壓與0.6V/0.5V遲滯比較器比較，由比較結(jié)果控制門極驅(qū)動輸出，其結(jié)構(gòu)可見圖8。我們可根據(jù)此原理用分立元件實(shí)現(xiàn)普通芯片的BurstMode功能，即檢測次級電壓判斷電源是否處于待機(jī)狀態(tài)，通過遲滯比較器，控制芯片輸出，電路如圖9所示。

控制反饋通道是實(shí)現(xiàn)一般pWM控制器的可控脈沖模式的方法之一。其電路可見圖10，

是

反饋信號，當(dāng)BurstSignal為低電平時(shí)，Q1關(guān)斷，

電路正常工作，當(dāng)BurstSignal為低電平時(shí)，Q1導(dǎo)通，R1被短路，

流過Q1

被拉高至

-0.6V，反饋信號

不能反映在

上，控制器因此輸出低電平。

另外關(guān)于有使能腳的pWM控制器，如L6565等，用可控脈沖信號控制使能腳使控制芯片有效或失效，也可以實(shí)現(xiàn)BurstMode，上述BurstSignal可由圖1中所示的遲滯比較器出現(xiàn)。

圖10控制反饋通道的BurstMode

4存在的問題

以上介紹的降頻和BurstMode方法在提高待機(jī)效率的同時(shí)，也帶來一些問題，首先是頻率降低導(dǎo)致輸出電壓紋波的新增，其次假如頻率降至20kHz以內(nèi)，可能有音頻噪音。而在BurstMode的OFF時(shí)期內(nèi)，假如負(fù)載激增，輸出電壓會大大降低，假如輸出電容不夠大，電壓甚至可能降低至零。假如增大輸出電容，以減小輸出電壓紋波，則會導(dǎo)致成本新增，并會影響系統(tǒng)動態(tài)性能。因此必須綜合考慮。