鉅大LARGE | 點擊量:734次 | 2020年05月18日
探討高壓輸入開關(guān)電源的設(shè)計技巧
此類電源的規(guī)格比現(xiàn)成的標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)所需的規(guī)格要嚴(yán)格得多。不僅這些應(yīng)用中的輸入電壓更高,而且為工業(yè)環(huán)境中的三相應(yīng)用所設(shè)計的設(shè)備還必須容許非常寬的波動—包括跌落時間延長、電涌以及一個或多個相的偶然丟失。而且,此類輔助電源的指定輸入電壓范圍可以達(dá)到57VAC至580VAC之寬。
設(shè)計如此寬范圍的開關(guān)電源可以說是一大挑戰(zhàn),重要在于高壓MOSFET的成本較高以及傳統(tǒng)的pWM控制環(huán)路的動態(tài)范圍的限制。StackFET技術(shù)允許組合使用不太昂貴的、額定電壓為600V的低壓MOSFET和powerIntegrations供應(yīng)的集成電源控制器,這樣便可設(shè)計出簡單便宜并能夠在寬輸入電壓范圍內(nèi)工作的開關(guān)電源。
圖1:采用StackFET技術(shù)的三相輸入3W開關(guān)電源
該電路的工作方式如下:電路的輸入端電流可以來自三相三線或四線系統(tǒng),甚至來自單相系統(tǒng)。三相整流器由二極管D1-D8構(gòu)成。電阻R1-R4可以供應(yīng)浪涌電流限制。假如使用可熔電阻,這些電阻便可在故障期間安全斷開,無需單獨配備保險絲。pi濾波器由C5、C6、C7、C8和L1構(gòu)成,可以過濾整流直流電壓。
電阻R13和R15用于平衡輸入濾波電容之間的電壓。
當(dāng)集成開關(guān)(U1)內(nèi)的MOSFET導(dǎo)通時,Q1的源端將被拉低,R6、R7和R8將供應(yīng)柵極電流,并且VR1到VR3的結(jié)電容將導(dǎo)通Q1。齊納二極管VR4用于限制施加給Q1的柵極源電壓。當(dāng)U1內(nèi)的MOSFET關(guān)斷時,U1的最大化漏極電壓將被一個由VR1、VR2和VR3構(gòu)成的450V箝位網(wǎng)絡(luò)箝位。這會將U1的漏極電壓限制到接近450V。
與Q1相連的繞組結(jié)束時的任何額外電壓都會被施加給Q1。這種設(shè)計可以有效地分配Q1和U1之間的整流輸入直流電壓和反激式電壓總量。電阻R9用于限制開關(guān)切換期間的高頻振蕩,由于反激間隔期間存在漏感,箝位網(wǎng)絡(luò)VR5、D9和R10則用于限制初級上的峰值電壓。
輸出整流由D1供應(yīng)。C2為輸出濾波器。L2和C3構(gòu)成次級濾波器,以減小輸出端的開關(guān)紋波。
當(dāng)輸出電壓超過光耦二極管和VR6的總壓降時,VR6將導(dǎo)通。輸出電壓的變化會導(dǎo)致流經(jīng)U2內(nèi)的光耦二極管的電流發(fā)生變化,進(jìn)而改變流經(jīng)U2B內(nèi)的晶體管的電流。當(dāng)此電流超出U1的FB引腳閾值電流時,將抑制下一個周期。輸出穩(wěn)壓可以通過控制使能及抑制周期的數(shù)量來實現(xiàn)。一旦開關(guān)周期被開啟,該周期便會在電流上升到U1的內(nèi)部電流限制時結(jié)束。R11用于限制瞬態(tài)負(fù)載時流經(jīng)光耦器的電流,以及調(diào)整反饋環(huán)路的增益。電阻R12用于偏置齊納二極管VR6。
ICU1(LNK304)具有內(nèi)置功能,因此可根據(jù)反饋信號消失、輸出端短路以及過載對該電路供應(yīng)保護(hù)。由于U1直接由其漏極引腳供電,因此不要在變壓器上添加額外的偏置繞組。C4用于供應(yīng)內(nèi)部電源去耦。