通過使用單個大功率、隔離型DC-DC模塊將48V電壓轉(zhuǎn)換成一個中等電源，如12V或更低電壓，可以獲得較好的系統(tǒng)性能。將這一中等電壓再轉(zhuǎn)換到系統(tǒng)負(fù)載所要求的具體電壓。這樣的電壓轉(zhuǎn)換可以通過非隔離、負(fù)載點(diǎn)電源實(shí)現(xiàn)，如圖1右側(cè)框圖所示。關(guān)于第二級電源轉(zhuǎn)換，集成開關(guān)穩(wěn)壓器是非常理想的選擇，因?yàn)檩斎腚妷?≤12V)和輸出電流(<10A)相對較低。

圖1.與電信單板上傳統(tǒng)的分布式電源">分布電源架構(gòu)(左邊)相比，集成開關(guān)調(diào)節(jié)器(右邊)具有更高效率和可靠性，能夠加快設(shè)計(jì)進(jìn)程、縮小電路板面積。

采用集成開關(guān)調(diào)節(jié)器的優(yōu)勢

電子行業(yè)的很多領(lǐng)域，包括電源電子行業(yè)，其共同目標(biāo)是集成系統(tǒng)元件，以降低總體成本、提高可靠性，并且盡可能縮小pCB面積。在過去的二十年，電源管理IC制造商開展了大量工作，在芯片內(nèi)部集成眾多功能，以滿足隔離、非隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用的需求。

集成開關(guān)電源在一個封裝中集成了MOSFET、柵極驅(qū)動器以及用于DC-DC開關(guān)轉(zhuǎn)換的pWM控制器，這已不再是新的概念。當(dāng)前所面對的問題是如何提高這些器件的輸出電流能力以及增強(qiáng)此類器件的功能。它們非常適合現(xiàn)代通信單板中分布式電源所要求的緊湊、多通道負(fù)載點(diǎn)電源，能夠?qū)討B(tài)負(fù)載供應(yīng)卓越的瞬態(tài)響應(yīng)。

為通信系統(tǒng)板設(shè)計(jì)、開發(fā)、測試電源會占用單板開發(fā)過程相當(dāng)多的時間。除pCB布局所花費(fèi)的時間外，電源開發(fā)中一個重要問題是解決布局相關(guān)的問題，這些問題包括：不合理的功率級布局、不恰當(dāng)接地、將敏感的模擬走線布在電流和電壓快速變化的電源線附近、沒有為電壓和電流檢測供應(yīng)開爾文連接、EMI超標(biāo)、去耦電容的位置不正確等。當(dāng)電源采用多個外圍分立元件時，這些問題中極有可能出現(xiàn)布板錯誤。

相反，集成開關(guān)調(diào)節(jié)器將功率級(MOSFET和柵極驅(qū)動器)和電流檢測功能集成到了器件內(nèi)部，從而消除了與pCB相關(guān)的諸多問題，進(jìn)而防止了大部分布板問題。不僅如此，集成開關(guān)調(diào)節(jié)器的引腳配置在設(shè)計(jì)中也有意避開了元件布局和接地問題。集成開關(guān)調(diào)節(jié)器通常供應(yīng)結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)過優(yōu)化與驗(yàn)證的pCB布局，有助于縮短開發(fā)周期，加快產(chǎn)品上市。

由于現(xiàn)代電信系統(tǒng)環(huán)境要高性能、小尺寸設(shè)計(jì)，pCB空間變得更加緊張。將功率級和pWM控制器集成到芯片內(nèi)部能夠有效節(jié)省空間；集成開關(guān)調(diào)節(jié)器能夠工作在較高的工作頻率，允許使用小尺寸的輸入/輸出電容、電感及其它濾波電容，與分立方法相比，進(jìn)一步節(jié)省了電路板空間。較高的工作頻率還能夠設(shè)計(jì)較寬的控制環(huán)路帶寬，支持快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。

電源轉(zhuǎn)換效率是衡量電源性能的重要指標(biāo)，這也是用開關(guān)電源替代線性穩(wěn)壓器的重要原因。當(dāng)然，開關(guān)轉(zhuǎn)換器會引入較高的噪聲和EMI。開關(guān)電源的功耗包括：傳導(dǎo)損耗(與MOSFET導(dǎo)通電阻RDS(ON)有關(guān))和開關(guān)損耗(與MOSFET在通、斷狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換速度有關(guān))。工作頻率較高時，開關(guān)損耗占主導(dǎo)地位，因?yàn)槊棵腌姲l(fā)生多次的MOSFET開、關(guān)轉(zhuǎn)換。轉(zhuǎn)換時間取決于柵極驅(qū)動電路的阻抗，該電路控制MOSFET的開啟、關(guān)閉。關(guān)于采用分立MOSFET和柵極驅(qū)動器的電源來說，由于具有MOSFET引腳電感和引線電感等寄生參數(shù)，因此高頻時柵極驅(qū)動阻抗較大。集成開關(guān)調(diào)節(jié)器通過將柵極驅(qū)動器和MOSFET集成在單個封裝內(nèi)，降低了寄生元件，從而在高頻時供應(yīng)更快的轉(zhuǎn)換時間和更好的效率。

熱管理是大型系統(tǒng)中電源設(shè)計(jì)的重要指標(biāo)。在負(fù)載點(diǎn)架構(gòu)中，電源轉(zhuǎn)換所出現(xiàn)的熱量分布在各個集成開關(guān)調(diào)節(jié)器內(nèi)，而非集中在一個電源模塊。集成開關(guān)調(diào)節(jié)器效率越高，所出現(xiàn)的熱量越少。除此之外，集成開關(guān)調(diào)節(jié)器通常采用增強(qiáng)散熱封裝，將裸焊盤直接焊接在pCB上，并通過散熱過孔(直徑8mil至12mil)將熱量傳導(dǎo)至地平面(地平面將熱量擴(kuò)散到整個單板，從而不要使用龐大的散熱器)。最后，熱關(guān)斷電路直接控制集成開關(guān)電源，能夠在發(fā)生過熱時供應(yīng)有效保護(hù)，防止器件損壞，從而提高系統(tǒng)的可靠性。

集成開關(guān)調(diào)節(jié)器供應(yīng)多種封裝以及較寬的輸入電壓(3V至12V)范圍和輸出電流(<1A至10A)范圍。低功率器件的封裝有：SOT、MSOp以及TSSOp。大功率器件采用QFN、BGA等封裝形式，能夠耗散較大功率。

結(jié)論

集成開關(guān)調(diào)節(jié)器是現(xiàn)代電信系統(tǒng)中等電源總線的理想選擇。與基于分立MOSFET、柵極驅(qū)動器和控制器的調(diào)節(jié)器相比，集成方法可以大大縮短產(chǎn)品上市時間、節(jié)省空間、提高效率、簡化系統(tǒng)熱管理，并具有更高的可靠性。