一、概論

開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制IC和MOSFET構(gòu)成。開關(guān)電源和線性電源相比，二者的成本都隨著輸出功率的增加而增長，但二者增長速率各異。線性電源成本在某一輸出功率點(diǎn)上，反而高于開關(guān)電源，這一點(diǎn)稱為成本反轉(zhuǎn)點(diǎn)。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新，這一成本反轉(zhuǎn)點(diǎn)日益向低輸出電力端移動，這為開關(guān)電源提供了廣闊的發(fā)展空間

電源有如人體的心臟，是所有電設(shè)備的動力。但電源卻不像心臟那樣形式單一。因?yàn)?，?biāo)志電源特性的參數(shù)有功率、電源、頻率、噪聲及帶載時參數(shù)的變化等等；在同一參數(shù)要求下，又有體積、重量、形態(tài)、效率、可靠性等指標(biāo)，人可按此去"塑造"和完美電源，因此電源的形式是極多的。

隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，電力電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系日益密切，而電子設(shè)備都離不開可靠的電源，進(jìn)入80年代計(jì)算機(jī)電源全面實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電源化，率先完成計(jì)算機(jī)的電源換代，進(jìn)入90年代開關(guān)電源相繼進(jìn)入各種電子、電器設(shè)備領(lǐng)域，程控交換機(jī)、通訊、電子檢測設(shè)備電源、控制設(shè)備電源等都已廣泛地使用了開關(guān)電源，更促進(jìn)了開關(guān)電源技術(shù)的迅速發(fā)展。開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)晶體管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制IC和MOSFET構(gòu)成。開關(guān)電源和線性電源相比，二者的成本都隨著輸出功率的增加而增長，但二者增長速率各異。線性電源成本在某一輸出功率點(diǎn)上，反而高于開關(guān)電源，這一成本反轉(zhuǎn)點(diǎn)。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關(guān)電源技術(shù)在不斷地創(chuàng)新，這一成本反轉(zhuǎn)點(diǎn)日益向低輸出電力端移動，這為開關(guān)電源提供了廣泛的發(fā)展空間。

一般電力要經(jīng)過轉(zhuǎn)換才能符合使用的需要。轉(zhuǎn)換的例子有：交流轉(zhuǎn)換成直流，高電壓變成低電壓，大功率中取小功率等等。

開關(guān)電源的工作原理是：

1.交流電源輸入經(jīng)整流濾波成直流；

2.通過高頻PWM（脈沖寬度調(diào)制）信號控制開關(guān)管，將那個直流加到開關(guān)變壓器初級上；

3.開關(guān)變壓器次級感應(yīng)出高頻電壓，經(jīng)整流濾波供給負(fù)載；

4.輸出部分通過一定的電路反饋給控制電路，控制PWM占空比，以達(dá)到穩(wěn)定輸出的目的。

開關(guān)電源設(shè)計(jì)全過程

1目的

希望以簡短的篇幅，將公司目前設(shè)計(jì)的流程做介紹，若有介紹不當(dāng)之處，請不吝指教。

2設(shè)計(jì)步驟：

2.1繪線路圖、PCBLayout.

2.2變壓器計(jì)算。

2.3零件選用。

2.4設(shè)計(jì)驗(yàn)證。

3設(shè)計(jì)流程介紹（以DA-14B33為例）：

3.1線路圖、PCBLayout請參考資識庫中說明。

3.2變壓器計(jì)算：

變壓器是整個電源供應(yīng)器的重要核心，所以變壓器的計(jì)算及驗(yàn)證是很重要的，以下即就DA-14B33變壓器做介紹。

3.2.1決定變壓器的材質(zhì)及尺寸：

依據(jù)變壓器計(jì)算公式

B（max）=鐵心飽合的磁通密度（Gauss）

Lp=一次側(cè)電感值（uH）

Ip=一次側(cè)峰值電流（A）

Np=一次側(cè)（主線圈）圈數(shù)

Ae=鐵心截面積（cm2）

B（max）依鐵心的材質(zhì)及本身的溫度來決定，以TDKFerriteCorePC40為例，100℃時的B（max）為3900Gauss,設(shè)計(jì)時應(yīng)考慮零件誤差，所以一般取3000~3500Gauss之間，若所設(shè)計(jì)的power為Adapter（有外殼）則應(yīng)取3000Gauss左右，以避免鐵心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大，Ae越高，所以可以做較大瓦數(shù)的Power.

3.2.2決定一次側(cè)濾波電容：

濾波電容的決定，可以決定電容器上的Vin（min），濾波電容越大，Vin（win）越高，可以做較大瓦數(shù)的Power,但相對價格亦較高。

3.2.3決定變壓器線徑及線數(shù)：

當(dāng)變壓器決定後，變壓器的Bobbin即可決定，依據(jù)Bobbin的槽寬，可決定變壓器的線徑及線數(shù)，亦可計(jì)算出線徑的電流密度，電流密度一般以6A/mm2為參考，電流密度對變壓器的設(shè)計(jì)而言，只能當(dāng)做參考值，最終應(yīng)以溫昇記錄為準(zhǔn)。

3.2.4決定Dutycycle（工作周期）：

由以下公式可決定Dutycycle,Dutycycle的設(shè)計(jì)一般以50%為基準(zhǔn)，Dutycycle若超過50%易導(dǎo)致振蕩的發(fā)生。

NS=二次側(cè)圈數(shù)

NP=一次側(cè)圈數(shù)

Vo=輸出電壓

VD=二極體順向電壓

Vin（min）=濾波電容上的谷點(diǎn)電壓

D=工作周期（Dutycycle）

3.2.5決定Ip值：

Ip=一次側(cè)峰值電流

Iav=一次側(cè)平均電流

Pout=輸出瓦數(shù)

效率

PWM震蕩頻率

3.2.6決定輔助電源的圈數(shù)：

依據(jù)變壓器的圈比關(guān)系，可決定輔助電源的圈數(shù)及電壓。

3.2.7決定MOSFET及二次側(cè)二極體的Stress（應(yīng)力）：

依據(jù)變壓器的圈比關(guān)系，可以初步計(jì)算出變壓器的應(yīng)力（Stress）是否符合選用零件的規(guī)格，計(jì)算時以輸入電壓264V（電容器上為380V）為基準(zhǔn)。

3.2.8其它：

若輸出電壓為5V以下，且必須使用TL431而非TL432時，須考慮多一組繞組提供Photocoupler及TL431使用。

3.2.9將所得資料代入公式中，如此可得出B（max），若B（max）值太高或太低則參數(shù)必須重新調(diào)整。

3.2.10DA-14B33變壓器計(jì)算：

輸出瓦數(shù)13.2W（3.3V/4A），Core=EI-28,可繞面積（槽寬）=10mm,MarginTape=?2.8mm（每邊），剩余可繞面積=4.4mm.

假設(shè)fT=45KHz,Vin（min）=90V,?=0.7,P.F.=0.5（cosθ），Lp=1600Uh

計(jì)算式：

變壓器材質(zhì)及尺寸：l

由以上假設(shè)可知材質(zhì)為PC-40,尺寸=EI-28,Ae=0.86cm2,可繞面積（槽寬）=10mm,因MarginTape使用2.8mm,所以剩余可繞面積為4.4mm.

假設(shè)濾波電容使用47uF/400V,Vin（min）暫定90V.

決定變壓器的線徑及線數(shù)：

假設(shè)NP使用0.32ψ的線

電流密度=

可繞圈數(shù)=

假設(shè)Secondary使用0.35ψ的線

電流密度=

假設(shè)使用4P,則

電流密度=

可繞圈數(shù)=

決定Dutylcycle:

假設(shè)Np=44T,Ns=2T,VD=0.5（使用schottkyDiode）

決定Ip值：

決定輔助電源的圈數(shù)：

假設(shè)輔助電源=12V

NA1=6.3圈

假設(shè)使用0.23ψ的線

可繞圈數(shù)=

若NA1=6Tx2P,則輔助電源=11.4V

決定MOSFET及二次側(cè)二極體的Stress（應(yīng)力）：

MOSFET（Q1）=最高輸入電壓（380V）+=

=463.6V

Diode（D5）=輸出電壓（Vo）+x最高輸入電壓（380V）=

=20.57V

Diode（D4）=

==41.4V

其它：

因?yàn)檩敵鰹?.3V,而TL431的Vref值為2.5V,若再加上photocoupler上的壓降約1.2V,將使得輸出電壓無法推動Photocoupler及TL431,所以必須另外增加一組線圈提供回授路徑所需的電壓。

假設(shè)NA2=4T使用0.35ψ線，則

可繞圈數(shù)=,所以可將NA2定為4Tx2P

變壓器的接線圖：

3.3零件選用：

零件位置（標(biāo)注）請參考線路圖：（DA-14B33Schematic）

3.3.1FS1:

由變壓器計(jì)算得到Iin值，以此Iin值（0.42A）可知使用公司共用料2A/250V,設(shè)計(jì)時亦須考慮Pin（max）時的Iin是否會超過保險絲的額定值。

3.3.2TR1（熱敏電阻）：

電源啟動的瞬間，由於C1（一次側(cè)濾波電容）短路，導(dǎo)致Iin電流很大，雖然時間很短暫，但亦可能對Power產(chǎn)生傷害，所以必須在濾波電容之前加裝一個熱敏電阻，以限制開機(jī)瞬間Iin在Spec之內(nèi)（115V/30A,230V/60A），但因熱敏電阻亦會消耗功率，所以不可放太大的阻值（否則會影響效率），一般使用SCK053（3A/5Ω），若C1電容使用較大的值，則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大（一般使用在大瓦數(shù)的Power上）。

3.3.3VDR1（突波吸收器）：

當(dāng)雷極發(fā)生時，可能會損壞零件，進(jìn)而影響Power的正常動作，所以必須在靠AC輸入端（Fuse之後），加上突波吸收器來保護(hù)Power（一般常用07D471K），但若有價格上的考量，可先忽略不裝。

3.3.4CY1,CY2（Y-Cap）：

Y-Cap一般可分為Y1及Y2電容，若ACInput有FG（3Pin）一般使用Y2-Cap,ACInput若為2Pin（只有L,N）一般使用Y1-Cap,Y1與Y2的差異，除了價格外（Y1較昂貴），絕緣等級及耐壓亦不同（Y1稱為雙重絕緣，絕緣耐壓約為Y2的兩倍，且在電容的本體上會有"回"符號或注明Y1），此電路因?yàn)橛蠪G所以使用Y2-Cap,Y-Cap會影響EMI特性，一般而言越大越好，但須考慮漏電及價格問題，漏電（LeakageCurrent）必須符合安規(guī)須求（3Pin公司標(biāo)準(zhǔn)為750uAmax）。

3.3.5CX1（X-Cap）、RX1:

X-Cap為防制EMI零件，EMI可分為Conduction及Radiation兩部分，Conduction規(guī)范一般可分為：FCCPart15JClassB、CISPR22（EN55022）ClassB兩種,FCC測試頻率在450K~30MHz,CISPR22測試頻率在150K~30MHz,Conduction可在廠內(nèi)以頻譜分析儀驗(yàn)證，Radiation則必須到實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證，X-Cap一般對低頻段（150K~數(shù)M之間）的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好（但價格愈高），若X-Cap在0.22uf以上（包含0.22uf），安規(guī)規(guī)定必須要有泄放電阻（RX1,一般為1.2MΩ1/4W）。

3.3.6LF1（CommonChoke）：

EMI防制零件，主要影響Conduction的中、低頻段，設(shè)計(jì)時必須同時考慮EMI特性及溫昇，以同樣尺寸的CommonChoke而言，線圈數(shù)愈多（相對的線徑愈細(xì)），EMI防制效果愈好，但溫昇可能較高。

3.3.7BD1（整流二極體）：

將AC電源以全波整流的方式轉(zhuǎn)換為DC,由變壓器所計(jì)算出的Iin值，可知只要使用1A/600V的整流二極體，因?yàn)槭侨ㄕ魉阅蛪褐灰?00V即可。

3.3.8C1（濾波電容）：

由C1的大?。娙葜担┛蓻Q定變壓器計(jì)算中的Vin（min）值，電容量愈大，Vin（min）愈高但價格亦愈高，此部分可在電路中實(shí)際驗(yàn)證Vin（min）是否正確，若ACInput范圍在90V~132V（Vc1電壓最高約190V），可使用耐壓200V的電容；若ACInput范圍在90V~264V（或180V~264V），因Vc1電壓最高約380V,所以必須使用耐壓400V的電容。

Re:開關(guān)電方設(shè)計(jì)過祘

3.3.9D2（輔助電源二極體）：

整流二極體，一般常用FR105（1A/600V）或BYT42M（1A/1000V），兩者主要差異：

1.耐壓不同（在此處使用差異無所謂）

2.VF不同（FR105=1.2V,BYT42M=1.4V）

3.3.10R10（輔助電源電阻）：

主要用於調(diào)整PWMIC的VCC電壓，以目前使用的3843而言，設(shè)計(jì)時VCC必須大於8.4V（Min.Load時），但為考慮輸出短路的情況，VCC電壓不可設(shè)計(jì)的太高，以免當(dāng)輸出短路時不保護(hù)（或輸入瓦數(shù)過大）。

3.3.11C7（濾波電容）：

輔助電源的濾波電容，提供PWMIC較穩(wěn)定的直流電壓，一般使用100uf/25V電容。

3.3.12Z1（Zener二極體）：

當(dāng)回授失效時的保護(hù)電路，回授失效時輸出電壓沖高，輔助電源電壓相對提高，此時若沒有保護(hù)電路，可能會造成零件損壞，若在3843VCC與3843Pin3腳之間加一個ZenerDiode,當(dāng)回授失效時ZenerDiode會崩潰，使得Pin3腳提前到達(dá)1V,以此可限制輸出電壓，達(dá)到保護(hù)零件的目的。Z1值的大小取決於輔助電源的高低，Z1的決定亦須考慮是否超過Q1的VGS耐壓值，原則上使用公司的現(xiàn)有料（一般使用1/2W即可）。

3.3.13R2（啟動電阻）：

提供3843第一次啟動的路徑，第一次啟動時透過R2對C7充電，以提供3843VCC所需的電壓，R2阻值較大時，turnon的時間較長，但短路時Pin瓦數(shù)較小，R2阻值較小時，turnon的時間較短，短路時Pin瓦數(shù)較大，一般使用220KΩ/2WM.O

3.3.14R4（LineCompensation）：

高、低壓補(bǔ)償用，使3843Pin3腳在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致（一般使用750KΩ~1.5MΩ1/4W之間）。

3.3.15R3,C6,D1（Snubber）：

此三個零件組成Snubber,調(diào)整Snubber的目的：1.當(dāng)Q1off瞬間會有Spike產(chǎn)生，調(diào)整Snubber可以確保Spike不會超過Q1的耐壓值，2.調(diào)整Snubber可改善EMI.一般而言，D1使用1N4007（1A/1000V）EMI特性會較好。R3使用2WM.O.電阻，C6的耐壓值以兩端實(shí)際壓差為準(zhǔn)（一般使用耐壓500V的陶質(zhì)電容）。

3.3.16Q1（N-MOS）：

目前常使用的為3A/600V及6A/600V兩種，6A/600V的RDS（ON）較3A/600V小，所以溫昇會較低，若IDS電流未超過3A,應(yīng)該先以3A/600V為考量，并以溫昇記錄來驗(yàn)證，因?yàn)?A/600V的價格高於3A/600V許多，Q1的使用亦需考慮VDS是否超過額定值。

3.3.17R8:

R8的作用在保護(hù)Q1,避免Q1呈現(xiàn)浮接狀態(tài)。

3.3.18R7（Rs電阻）：

3843Pin3腳電壓最高為1V,R7的大小須與R4配合，以達(dá)到高低壓平衡的目的，一般使用2WM.O.電阻，設(shè)計(jì)時先決定R7後再加上R4補(bǔ)償，一般將3843Pin3腳電壓設(shè)計(jì)在0.85V~0.95V之間（視瓦數(shù)而定，若瓦數(shù)較小則不能太接近1V,以免因零件誤差而頂?shù)?V）。

3.3.19R5,C3（RCfilter）：

濾除3843Pin3腳的雜訊，R5一般使用1KΩ1/8W,C3一般使用102P/50V的陶質(zhì)電容，C3若使用電容值較小者，重載可能不開機(jī)（因?yàn)?843Pin3瞬間頂?shù)?V）；若使用電容值較大者，也許會有輕載不開機(jī)及短路Pin過大的問題。

3.3.20R9（Q1Gate電阻）：

R9電阻的大小，會影響到EMI及溫昇特性，一般而言阻值大，Q1turnon/turnoff的速度較慢，EMI特性較好，但Q1的溫昇較高、效率較低（主要是因?yàn)閠urnoff速度較慢）；若阻值較小，Q1turnon/turnoff的速度較快，Q1溫昇較低、效率較高，但EMI較差，一般使用51Ω-150Ω1/8W.

3.3.21R6,C4（控制振蕩頻率）：

決定3843的工作頻率，可由DataSheet得到R、C組成的工作頻率，C4一般為10nf的電容（誤差為5%），R6使用精密電阻，以DA-14B33為例，C4使用103P/50VPE電容，R6為3.74KΩ1/8W精密電阻，振蕩頻率約為45KHz.

3.3.22C5:

功能類似RCfilter,主要功用在於使高壓輕載較不易振蕩，一般使用101P/50V陶質(zhì)電容。

3.3.23U1（PWMIC）：

3843是PWMIC的一種，由PhotoCoupler（U2）回授信號控制DutyCycle的大小，Pin3腳具有限流的作用（最高電壓1V），目前所用的3843中，有KA3843（SAMSUNG）及UC3843BN（S.T.）兩種，兩者腳位相同，但產(chǎn)生的振蕩頻率略有差異，UC3843BN較KA3843快了約2KHz,fT的增加會衍生出一些問題（例如：EMI問題、短路問題），因KA3843較難買，所以新機(jī)種設(shè)計(jì)時，盡量使用UC3843BN.

3.3.24R1、R11、R12、C2（一次側(cè)回路增益控制）：

3843內(nèi)部有一個ErrorAMP（誤差放大器），R1、R11、R12、C2及ErrorAMP組成一個負(fù)回授電路，用來調(diào)整回路增益的穩(wěn)定度，回路增益，調(diào)整不恰當(dāng)可能會造成振蕩或輸出電壓不正確，一般C2使用立式積層電容（溫度持性較好）。

3.3.25U2（Photocoupler）

光耦合器（Photocoupler）主要將二次側(cè)的信號轉(zhuǎn)換到一次側(cè)（以電流的方式），當(dāng)二次側(cè)的TL431導(dǎo)通後，U2即會將二次側(cè)的電流依比例轉(zhuǎn)換到一次側(cè)，此時3843由Pin6（output）輸出off的信號（Low）來關(guān)閉Q1,使用Photocoupler的原因，是為了符合安規(guī)需求（primacytosecondary的距離至少需5.6mm）。

3.3.26R13（二次側(cè)回路增益控制）：

控制流過Photocoupler的電流，R13阻值較小時，流過Photocoupler的電流較大，U2轉(zhuǎn)換電流較大，回路增益較快（需要確認(rèn)是否會造成振蕩），R13阻值較大時，流過Photocoupler的電流較小，U2轉(zhuǎn)換電流較小，回路增益較慢，雖然較不易造成振蕩，但需注意輸出電壓是否正常。

3.3.27U3（TL431）、R15、R16、R18

調(diào)整輸出電壓的大小，,輸出電壓不可超過38V（因?yàn)門L431VKA最大為36V,若再加Photocoupler的VF值，則Vo應(yīng)在38V以下較安全），TL431的Vref為2.5V,R15及R16并聯(lián)的目的使輸出電壓能微調(diào)，且R15與R16并聯(lián)後的值不可太大（盡量在2KΩ以下），以免造成輸出不準(zhǔn)。

3.3.28R14,C9（二次側(cè)回路增益控制）：

控制二次側(cè)的回路增益，一般而言將電容放大會使增益變慢；電容放小會使增益變快，電阻的特性則剛好與電容相反，電阻放大增益變快；電阻放小增益變慢，至於何謂增益調(diào)整的最佳值，則可以Dynamicload來量測，即可取得一個最佳值。

3.3.29D4（整流二極體）：

因?yàn)檩敵鲭妷簽?.3V,而輸出電壓調(diào)整器（OutputVoltageRegulator）使用TL431（Vref=2.5V）而非TL432（Vref=1.25V），所以必須多增加一組繞組提供Photocoupler及TL431所需的電源，因?yàn)閁2及U3所需的電流不大（約10mA左右），二極體耐壓值100V即可，所以只需使用1N4148（0.15A/100V）。

3.3.30C8（濾波電容）：

因?yàn)閁2及U3所需的電流不大，所以只要使用1u/50V即可。

3.3.31D5（整流二極體）：

輸出整流二極體，D5的使用需考慮：

a.電流值

b.二極體的耐壓值

以DA-14B33為例，輸出電流4A,使用10A的二極體（Schottky）應(yīng)該可以，但經(jīng)點(diǎn)溫昇驗(yàn)證後發(fā)現(xiàn)D5溫度偏高，所以必須換為15A的二極體，因?yàn)?0A的VF較15A的VF值大。耐壓部分40V經(jīng)驗(yàn)證後符合，因此最後使用15A/40VSchottky.

3.3.32C10,R17（二次側(cè)snubber）:

D5在截止的瞬間會有spike產(chǎn)生，若spike超過二極體（D5）的耐壓值，二極體會有被擊穿的危險，調(diào)整snubber可適當(dāng)?shù)臏p少spike的電壓值，除保護(hù)二極體外亦可改善EMI,R17一般使用1/2W的電阻，C10一般使用耐壓500V的陶質(zhì)電容，snubber調(diào)整的過程（264V/63Hz）需注意R17,C10是否會過熱，應(yīng)避免此種情況發(fā)生。

3.3.33C11,C13（濾波電容）：

二次側(cè)第一級濾波電容，應(yīng)使用內(nèi)阻較小的電容（LXZ,YXA…），電容選擇是否洽當(dāng)可依以下三點(diǎn)來判定：

a.輸出Ripple電壓是符合規(guī)格

b.電容溫度是否超過額定值

c.電容值兩端電壓是否超過額定值

3.3.34R19（假負(fù)載）：

適當(dāng)?shù)氖褂眉儇?fù)載可使線路更穩(wěn)定，但假負(fù)載的阻值不可太小，否則會影響效率，使用時亦須注意是否超過電阻的額定值（一般設(shè)計(jì)只使用額定瓦數(shù)的一半）。

3.3.35L3,C12（LC濾波電路）：

LC濾波電路為第二級濾波，在不影響線路穩(wěn)定的情況下，一般會將L3放大（電感量較大），如此C12可使用較小的電容值。

4設(shè)計(jì)驗(yàn)證：（可分為三部分）

a.設(shè)計(jì)階段驗(yàn)證

b.樣品制作驗(yàn)證

c.QE驗(yàn)證

4.1設(shè)計(jì)階段驗(yàn)證

設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)階段應(yīng)該養(yǎng)成記錄的習(xí)慣，記錄可以驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)結(jié)果是否與電氣規(guī)格相符，以下即就DA-14B33設(shè)計(jì)階段驗(yàn)證做說明（驗(yàn)證項(xiàng)目視規(guī)格而定）。

4.1.1電氣規(guī)格驗(yàn)證：

4.1.1.13843PIN3腳電壓（fullload4A）:

90V/47Hz=0.83V

115V/60Hz=0.83V

132V/60Hz=0.83V

180V/60Hz=0.86V

230V/60Hz=0.88V

264V/63Hz=0.91V

4.1.1.2DutyCycle,fT:

4.1.1.3Vin（min）=100V（90V/47Hzfullload）

4.1.1.4Stress（264V/63Hzfullload）:

Q1MOSFET:

4.1.1.5輔助電源（開機(jī)，滿載）、短路Pinmax.:

4.1.1.6Static（fullload）

Pin（w）Iin（A）Iout（A）Vout（V）P.F.Ripple（mV）Pout（w）eff

90V/47Hz18.70.3643.300.573213.2270.7

115V/60Hz18.603143.300.522813.2271.1

132V/60Hz18.60.2843.300.502913.2271.1

180V/60Hz18.70.2143.300.493013.2370.7

230V/60Hz18.90.1843.300.462913.2269.9

264V/60Hz19.20.1643.300.452913.2368.9

4.1.1.7FullRange負(fù)載（0.3A-4A）

（驗(yàn)證是否有振蕩現(xiàn)象）

4.1.1.8回授失效（輸出輕載）

Vout=8.3Vê90V/47Hz

Vout=6.03Vê264V/63Hz

4.1.1.9O.C.P.（過電流保護(hù)）

90V/47Hz=7.2A

264V/63Hz=8.4A

4.1.1.10Pin（max.）

90V/47Hz=24.9W

264V/63Hz=27.1W

4.1.1.11Dynamictest

H=4A,t1=25ms,slewRate=0.8A/ms（Rise）

L=0.3A,t2=25ms,slewRate=0.8A/ms（Full）

90V/47Hz

264V/63Hz

4.1.1.12HI-POTtest:

HI-POTtest一般可分為兩種等級：

輸入為3Pin（有FG者），HI-POTtest為1500Vac/1?minute.Y-CAP使用Y2-CAP

輸入為2Pin（無FG者），HI-POTtest為3000Vac/1?minute.Y-CAP使用Y1-CAP

DA-14B33屬於輸入3PINHI-POTtest為1500Vac/1minute.

4.1.1.13Groundingtest:

輸入為3Pin（有FG者），一般均要測接地阻（Groundingtest），安規(guī)規(guī)定FG到輸出線材（輸出端）的接地電阻不能超過100MΩ（2.5mA/3Second）。

4.1.1.14溫昇記錄

設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)定案後（暫定），需針對整體溫昇及EMI做評估，若溫昇或EMI無法符合規(guī)格，則需重新實(shí)驗(yàn)。溫昇記錄請參考附件，D5原來使用BYV118（10A/40VSchottkybarrier肖特基二極管），因溫昇較高改為PBYR1540CTX（15A/40V）。

4.1.1.15EMI測試：

EMI測試分為二類：

Conduction（傳導(dǎo)干擾）

Radiation（幅射干擾）

前者視規(guī)范不同而有差異（FCC:450K-30MHz,CISPR22:150K-30MHz），前者可利用廠內(nèi)的頻譜分析儀驗(yàn)證；後者（范圍由30M-300MHz,則因廠內(nèi)無設(shè)備必須到實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證，Conduction,Radiation測試資料請參考附件）.

4.1.1.16機(jī)構(gòu)尺寸：

設(shè)計(jì)階段即應(yīng)對機(jī)構(gòu)尺寸驗(yàn)證，驗(yàn)證的項(xiàng)目包括:PCB尺寸、零件限高、零件禁置區(qū)、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸…，若設(shè)計(jì)階段無法驗(yàn)證，則必須在樣品階段驗(yàn)證。

4.1.2樣品驗(yàn)證：

樣品制作完成後，除溫昇記錄、EMI測試外（是否需重新驗(yàn)證，視情況而定），每一臺樣品都應(yīng)經(jīng)過驗(yàn)證（包括電氣及機(jī)構(gòu)尺寸），此階段的電氣驗(yàn)證可以以ATE（Chroma）測試來完成，ATE測試必須與電氣規(guī)格相符。

4.1.3QE驗(yàn)證：

QE針對工程部所提供的樣品做驗(yàn)證，工程部應(yīng)提供以下交件及樣品供QE驗(yàn)證。

開關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn)

1、功耗小，效率高。在開關(guān)電源電路中，晶體管V在激勵信號的激勵下，它交替地工作在導(dǎo)通-截止和截止-導(dǎo)通的開關(guān)狀態(tài)，轉(zhuǎn)換速度很快，頻率一般為50kHz左右，在一些技術(shù)先進(jìn)的國家，可以做到幾百或者近1000kHz.這使得開關(guān)晶體管V的功耗很小，電源的效率可以大幅度地提高，其效率可達(dá)到80%.

2、體積小，重量輕。從開關(guān)電源的原理框圖可以清楚地看到這里沒有采用笨重的工頻變壓器。由于調(diào)整管V上的耗散功率大幅度降低后，又省去了較大的散熱片。由于這兩方面原因，所以開關(guān)電源的體積小，重量輕。

3、穩(wěn)壓范圍寬。從開關(guān)電源的輸出電壓是由激勵信號的占空比來調(diào)節(jié)的，輸入信號電壓的變化可以通過調(diào)頻或調(diào)寬來進(jìn)行補(bǔ)償。這樣，在工頻電網(wǎng)電壓變化較大時，它仍能夠保證有較穩(wěn)定的輸出電壓。所以開關(guān)電源的穩(wěn)壓范圍很寬，穩(wěn)壓效果很好。此外，改變占空比的方法有脈寬調(diào)制型和頻率調(diào)制型兩種。開關(guān)電源不僅具有穩(wěn)壓范圍寬的優(yōu)點(diǎn)，而且實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓的方法也較多，設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的要求，靈活地選用各種類型的開關(guān)電源。

濾波的效率大為提高，使濾波電容的容量和體積大為減少。開關(guān)電源的工作頻率目前基本上是工作在50kHz,是線性穩(wěn)壓電源的1000倍，這使整流后的濾波效率幾乎也提高了1000倍；即使采用半波整流后加電容濾波，效率也提高了500倍。在相同的紋波輸出電壓下，采用開關(guān)電源時，濾波電容的容量只是線性穩(wěn)壓電源中濾波電容的1/500~1/1000.電路形式靈活多樣，有自激式和他激式，有調(diào)寬型和調(diào)頻型，有單端式和雙端式等等，設(shè)計(jì)者可以發(fā)揮各種類型電路的特長，設(shè)計(jì)出能滿足不同應(yīng)用場合的開關(guān)電源。

開關(guān)穩(wěn)壓電源缺點(diǎn)：

開關(guān)穩(wěn)壓電源的缺點(diǎn)是存在較為嚴(yán)重的開關(guān)干擾。開關(guān)穩(wěn)壓電源中，功率調(diào)整開關(guān)晶體管V工作在開關(guān)狀態(tài)，它產(chǎn)生的交流電壓和電流通過電路中的其他元器件產(chǎn)生尖峰干擾和諧振干擾，這些干擾如果不采取一定的措施進(jìn)行抑制、消除和屏蔽，就會嚴(yán)重地影響整機(jī)的正常工作。此外由于開關(guān)穩(wěn)壓電源振蕩器沒有工頻變壓器的隔離，這些干擾就會串入工頻電網(wǎng)，使附近的其他電子儀器、設(shè)備和家用電器受到嚴(yán)重干擾。

目前，由于國內(nèi)微電子技術(shù)、阻容器件生產(chǎn)技術(shù)以及磁性材料技術(shù)與一些技術(shù)先進(jìn)國家還有一定的差距，因而造價不能進(jìn)一步降低，也影響到可靠性的進(jìn)一步提高。所以在我國的電子儀器以及機(jī)電一體化儀器中，開關(guān)穩(wěn)壓電源還不能得到十分廣泛的普及及使用。特別是對于無工頻變壓器開關(guān)穩(wěn)壓電源中的高壓電解電容器、高反壓大功率開關(guān)管、開關(guān)變壓器的磁芯材料等器件，在我國還處于研究、開發(fā)階段。

在一些技術(shù)先進(jìn)國家，開關(guān)穩(wěn)壓電源雖然有了一定的發(fā)展，但在實(shí)際應(yīng)用中也還存在一些問題，不能十分令人滿意。這暴露出開關(guān)穩(wěn)壓電源的又一個缺點(diǎn)，那就是電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，故障率高，維修麻煩。對此，如果設(shè)計(jì)者和制造者不予以充分重視，則它將直接影響到開關(guān)穩(wěn)壓電源的推廣應(yīng)用。當(dāng)今，開關(guān)穩(wěn)壓電源推廣應(yīng)用比較困難的主要原因就是它的制作技術(shù)難度大、維修麻煩和造價成本較高