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基于bq24161+TPS2419 雙電池供電方法的設計分析

鉅大LARGE  |  點擊量:1426次  |  2020年03月19日  

摘要


隨著便攜式終端產(chǎn)品處理能力的不斷提升以及功能的不斷豐富,終端產(chǎn)品的功耗也越來越大,因此待機時間就成為產(chǎn)品的關鍵性能指標之一。由于便攜式終端設備受到體積的限制,不能簡單地通過不斷新增單節(jié)鋰離子電池容量來延長待機時間,因此主電池+備電池的雙電池供電方法不啻成為延長待機時間的優(yōu)選方法。本文介紹了基于充電管理芯片bq24161以及ORing控制芯片TpS2419的雙電池供電方法的設計,文中分析了雙電池供電方法的設計要求,給出了設計框圖以及原理圖,在此基礎上分析了充電管理電路、ORing電路的具體設計方法,并且詳細分析了各部分電路的工作原理?;谒O計的電路,對其供電可靠性等性能指標進行了測試。測試內(nèi)容包括在靜態(tài)負載電流以及動態(tài)負載電流條件下,備電插入、拔出過程中對系統(tǒng)供電可靠性的測試。測試結果表明:該方法能夠在備電插入、拔出過程中保證系統(tǒng)供電的可靠性,并且能夠對充電管理電路進行靈活管理,是一個適合于多種終端設備的雙電池供電解決方法。


1概述


當今智能手機、便攜式路由器等便攜式終端產(chǎn)品正朝著體積更小、厚度更薄以及重量更輕的趨勢發(fā)展。但是隨著便攜式終端產(chǎn)品處理能力的不斷提升以及功能的不斷豐富,其功耗卻越來越大。在電池技術沒有得到突破之前,主電池+備電池的雙電池解決方法就成為延長待機時間較好的方法。主電池設計在機殼內(nèi)部,處于常在的狀態(tài),備電設計在機殼外部,可以隨意拔插?;谥麟姵?備電池的結構特點,雙電供電方法的設計要求重要包括以下兩個方面:


1)備電池在拔插過程中要保證系統(tǒng)供電的可靠性;


2)備電池通路與主電池通路之間不會相互影響;


3)對主電池以及備電池可以進行靈活的充電管理。


圖1給出了基于bq24161+TpS2419的雙電池供電方法的設計框圖。主電池與備電池的充電管理分別由兩片充電管理芯片bq24161進行單獨控制。bq24161是高集成度的帶有動態(tài)路徑管理功能(DppM)的單節(jié)鋰離子電池充電管理芯片。主處理器與bq24161通過總線進行通信,實現(xiàn)對主電池以及備電池的充電管理,其中包括對充電電流、充電電壓、狀態(tài)監(jiān)測與控制等功能的靈活控制。TpS2419是適用于N+1供電系統(tǒng)的ORing電路控制器,它與低導通電阻N溝道MOSFET配合使用,在獲得MOSFET高效性能的同時,也供應了ORing二極管反向電流保護功能。TpS2419通過對電源電壓以及系統(tǒng)電壓的檢測來打開或者關斷對應通路MOSFET。一方面TpS2419及時打開MOSFET可以保證電源對系統(tǒng)供電的及時性和可靠性,另外一方面TpS2419迅速關斷MOSFET可以防止及減小系統(tǒng)電壓到輸入端電源的反灌電流。ORing電路冗余設計的特性保證了主電池與備電池電源通路互為備用的同時,也保證了備電插拔過程中系統(tǒng)電壓的安全性及可靠性。


圖1基于bq24161+TpS2419的雙電池供電方法框圖


2電路設計方法分析


2.1電路設計原理圖


圖2基于bq24161+TpS2419的雙電池供電方法原理圖


電路原理圖中U1、U2是充電管理芯片bq24161,分別實現(xiàn)對主電池以及備電池的充電管理功能。U3、U4是ORing控制器TpS2419,實現(xiàn)主電池電源通路與備電池電源通路互為備用的雙電源供電結構。


充電管理芯片bq24161具有適配器檢測的功能,可以檢測到適配器的插入或者拔出。當插入電源適配器或者USB充電線后,bq24161會有相應的標志寄存器置位,由于默認配置下IN輸入通道相關于USB輸入通道享有更高的優(yōu)先級,因此電流會從IN輸入通道供應。Host可以通過I2C接口讀取U1、U2充電管理芯片內(nèi)部寄存器的信息,并且通過I2C接口實現(xiàn)對主電、備電充電管理的靈活控制。在使能充電之前要配置的參數(shù)包括充電電壓、充電電流、充電終止電流、輸入限流、VIN-DpM的門檻值等。


Host主機根據(jù)具體的需求控制U1、U2充電使能或終止,可以同時使能主電、備電的充電,也可以控制主電、備電的充電優(yōu)先級。當同時使能主電、備電的充電,假如適配器的輸入電流能力能夠同時滿足主電、備電充電的需求,那么U1、U2可以按照配置的充電電流給主電、備電同時充電。假如電源適配器的電流不能同時滿足充電的需求,bq24161的VIN-DpM功能就會被激活,會自動減小輸入限流點以保證輸入電壓穩(wěn)定在所設置的VIN-DpM的門檻電壓,內(nèi)部寄存器DpM_STATUS位也會置位,此時主、備電的充電電流都不能達到設定的值,此時Host主機可以控制主電、備電的優(yōu)先級,比如關斷備電充電讓主電先充電,主電充電完成后備電再開始充電。


U3、U4是ORing控制器TpS2419,實現(xiàn)主電與備電互為備用的雙電源供電結構。當備電作為系統(tǒng)供電電源時,在備電突然拔出的條件下,U3能夠迅速打開主電通路以保證系統(tǒng)電壓的可靠性。當電壓較高的備電突然插入時,U4會打開備電源通路,由備電供應系統(tǒng)供電。


2.2充電管理電路設計


bq24161是高度集成的開關型高效率單節(jié)鋰離子電池充電管理芯片,支持IN和USB雙通道輸入,最大充電電流可以達到2.5A。bq24161具有基于輸入電壓的動態(tài)功率管理功能(Vin-DpM)和動態(tài)功率路徑管理功能(DppM)。其中VIN-DpM功能可以在充電器無法完全供應系統(tǒng)及充電電流能力的情況下,自動調(diào)整減小輸入電流門限值,使輸入端口電壓維持在一定的門檻值,防止適配器(或USB電源)當機,另外Vin-DpM的門檻值可以靈活地進行編程設置。因此,bq24161可與具有不同電流能力的適配器(USB電源)配合使用。在DppM功能中,若SYS電壓由于負載原因跌落到最小系統(tǒng)電壓(VMINSYS),bq24161會自動減小充電電流,以滿足系統(tǒng)的供電需求。假如充電電流減小停止充電后都滿足不了系統(tǒng)的供電需求,bq24161會立即進入補電模式,即電池向系統(tǒng)放電來滿足系統(tǒng)負載的需求,從而保證系統(tǒng)電壓的可靠性以及系統(tǒng)正常工作。因此,bq24161能夠在保證系統(tǒng)供電可靠性的條件下,實現(xiàn)對電池的靈活充電管理,并且能夠在電池過放或者電池不在位的條件下保證系統(tǒng)的正常供電。


充電管理電路部分的線路設計重要包括U1和U2。U1實現(xiàn)對主電池的充電管理,U2實現(xiàn)對備電池的充電管理,兩者充電管理部分設計參數(shù)基本相同,因此這里只對主電池管理電路即U1電路部分進行討論。


當前市場上的終端產(chǎn)品大多對外只設一個接口兼容USB和適配器電源輸入。因此本文設計中IN和USB輸入端口是連接在一起的,主處理器可以通過內(nèi)部寄存器來設置兩個電源輸入通道的優(yōu)先級來分別滿足適配器充電以及USB充電的需求。由于bq24161工作模式為開關型,因此要在IN端口以及USB端口分別就近連接1uF的輸入電容到地作旁路濾波用途。


關于功率電感的設計,bq24161推薦的功率電感的選擇范圍為1.5uH~2.2uH,為了盡量地減小紋波電流、提高效率,本設計選取2.2uH的電感,其峰值電流計算如下:


(1)


取VINMAX=10V,VOUT=4.2V,ILOAD(MAX)=2.5A計算峰值電流IpEAK=2.87A,因此選擇TDKLTF5022T-2R2N3R2電感,其直流電流可以達到3.2A。


bq24161采用的是內(nèi)部補償方式,為了保證其工作穩(wěn)定性,要求輸出電容在10uF~200uF之間,本設計中選取10uF的陶瓷電容作為輸出電容。為了盡量減小開關過程中高頻電流環(huán)路的面積,要在pMIDI以及pMIDU引腳分別放置4.7uF的陶瓷電容。另外SYS引腳以及BAT引腳對地也要放置1uF的陶瓷電容。另外假如設計場合對動態(tài)響應有要求,那么建議在SYS端對地新增容值至少為47uF的旁路電容,以提高充電管理電路動態(tài)性能。


主處理器通過總線與bq24161之間進行通信,實現(xiàn)對相關控制寄存器及狀態(tài)寄存器的配置和讀取。STAT引腳是一個開漏極輸出口,可以用來對bq24161的工作狀態(tài)進行顯示,設計中可以用來驅動LED燈來顯示不同的工作狀態(tài),或者可以連接到主處理器的GpIO口以供主處理器直接讀取。INT引腳也是一個開漏極輸出口,可以與主處理器的外部觸發(fā)中斷相連,當報警發(fā)生時可以觸發(fā)主處理器的中斷,主處理器可以及時進行相應的報警處理。另外CD引腳是硬件關斷控制,當為“高”時bq24161會設置在高阻抗模式下,主處理器可以根據(jù)要對CD引腳進行靈活控制。


BGATE引腳是用來供應pMOSFETQ1的驅動信號,Q1是可選擇性設計,重要目的是為了在電池放電條件下優(yōu)化放電通路的性能。Q1與bq24161內(nèi)部的放電MOSFET并聯(lián)使用,并聯(lián)后的導通阻抗更小,這樣就可以減小放電MOSFET上的損耗,從而提高效率,延長產(chǎn)品的續(xù)航時間。


本設計中,備電的充電管理電路硬件設計與主電相同,因此可以參考主電的設計方法進行設計。


2.3ORing電路設計


ORing電路是通過兩片TpS2419來實現(xiàn)的,TpS2419是適用于N+1供電系統(tǒng)的ORing電路控制器,其精確的電壓檢測和可編程的關斷門限可以充分保證系統(tǒng)供電的靈活性和可靠性。其中A、C引腳為電壓檢測輸入引腳,分別連接N-MOSFET的源極和漏極,當母線電壓VC低于供電電壓VA,并且滿足V(A-C)>65mV時,TpS2419會迅速打開外部的N-MOSFET管。當母線電壓VC接近或者大于VA供電電壓時,TpS2419會迅速關斷外部的N-MOSFET,切斷母線電壓VC與供電電壓VA的通路。TpS2419的關斷門檻電壓差V(A-C)可以由RSET引腳電阻設置,默認典型值為3mV(RSET懸空)。


下面在備電突然插入或者拔出的情況下,針對不同的條件對TpS2419ORing電路的工作原理進行分析,圖3是備電插入、拔出系統(tǒng)供電流程圖。


圖3備電插入、拔出系統(tǒng)供電流程圖


1)當主電池給系統(tǒng)供電時,插入備電,假如備電電壓滿足VBAT2_SYS-VSYS>65mV,那么備電的TpS2419會打開外部的MOSFET,備電給系統(tǒng)供電,VSYS=VBAT2_SYS-Vdrop2,其中Vdrop2是MOSFET上的導通壓降。關于主電的通路來說,假如此時VBAT1_SYS-VSYS滿足關斷條件,那么主電池通路的MOSFET會關斷,由備電給系統(tǒng)供電,關斷過程中VSYS電壓保持穩(wěn)定,能夠保證系統(tǒng)供電的可靠性。假如VBAT1_SYS-VSYS不滿足關斷條件,那么主電的通路的MOSFET仍然導通,此時主電備電的同時給系統(tǒng)供電。


2)當主電池給系統(tǒng)供電時,拔出備電,因為此時備電通路MOSFET沒有打開,拔出備電對VSYS沒有任何影響,VSYS仍然由主電來供應。


3)當備電給系統(tǒng)供電時,拔出備電。在拔出備電的過程中VSYS電壓會有下降的趨勢,當VSYS電壓跌落到主電通路VBAT1_SYS-VSYS>65mV的導通門檻時,主電回路的TpS2419會迅速打開MOSFET,VSYS電流由主電池來供應,由于TpS2419能夠迅速打開,因此在整個切換過程中能夠保證VSYS供電的可靠性。


綜合以上幾種條件下分析,表明本文中TpS2419設計實現(xiàn)的ORing電路在備電突然插入或者拔出的情況下,能夠完全保證系統(tǒng)供電的可靠性。


下面先來分析討論一下主電通路TpS2419電路的設計,如圖3所示。


圖4主電池通路ORing電路設計


TpS2419的A、C引腳電壓檢測輸入引腳,用來檢測外部MOSFET上的壓降,分別連接MOSFET的源極和漏極,分別連接470nF的去耦電容。關于MOSFET的選擇要考慮電壓等級、Rdson、尺寸、驅動電壓等級以及成本等因素。本設計中采用CSD16412Q5A型N-MOSFET,其VDS電壓等級為25V,RDS(on)只有13mΩ。為了最大程度減小對TpS2419內(nèi)部電源的干擾,BYp引腳要連接一個2.2nF的去耦電容。GATE引腳供應外部MOSFET的柵極驅動信號,其強健的驅動能力可以使得TpS2419在100-200ns的時間里迅速的關斷外部MOSFET,為了防止過快的電流變化對電路的影響,要GATE引腳與MOSFET的柵極之間串聯(lián)一個10Ω~200Ω的電阻,本設計中選取30Ω電阻R13。RSET引腳是用力設置MOSFET的關斷門檻,如下式:


(2)


負的關斷門檻可以防止由于總線上噪聲引起的誤關斷動作,但也會造成大的反向電流;正的關斷門檻可以防止或減小反向電流,但是對噪聲的敏感度高,易在輕載時不斷關斷、重起。由于本設計是針對電池的應用,輸入電源噪聲很小,另外負載電流不太大,為了盡量防止反向電流引起的電池之間互充,可以設置關斷門檻為0mV,因此取。


EN引腳為TpS2419的使能控制,為了最大限度的減小系統(tǒng)待機時候的靜態(tài)電流,當系統(tǒng)處于待機條件下OREN1信號拉低,TpS2419處于不使能狀態(tài),靜態(tài)電流可以維持在最小,此時系統(tǒng)的供電經(jīng)過肖特基二極管D2來供應。


圖4是備電通路TpS2419電路的設計


圖5備電池通路ORing電路設計


備電池通路與主電池通路TpS2419電路設計基本相同,只是MOSFET管的設計稍有差別。關于相同部分的電流這里不再贅述,只對MOSFET部分進行分析討論。假如在應用中要關斷備電池的放電,假如選用單MOSFET的設計,當OREN2設置TpS2419處于不使能狀態(tài)時,假如備電池電壓高于VSYS時,電流就會從外部MOSFET的體二極管流向VSYS,從而不能斷開備電的放電,因此這里要采用對管的結構,這樣就可以完全切斷備電放電的通路。


2.4實驗結果分析


測試電路在靜態(tài)負載以及動態(tài)負載不同負載條件下,系統(tǒng)供電電壓VSYS的穩(wěn)定性以及VBAT1_SYS與VBAT2_SYS之間是否相互影響:


1)備電不在位,主電供應系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS>VBAT2_SYS條件下插入備電。過程中不存在主電、備電切換供電過程,測試VSYS電壓的穩(wěn)定性以及備電對主電通路的影響;


2)備電不在位,主電供應系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS


3)備電在位,主電供應系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS>VBAT2_SYS,拔出備電。過程中不存在主電、備電切換供電過程,測試VSYS的穩(wěn)定性以及備電對主電通路的影響;


4)備電在位,備電供應系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS


下面分為靜態(tài)負載電流以及動態(tài)負載電流兩種情況,在不同工作條件下測試系統(tǒng)電壓VSYS的穩(wěn)定性以及VBAT1_SYS與VBAT2_SYS之間是否相互影響,其中:CH1-VSYS,CH2-VBAT1_SYS,CH3-VBAT2_SYS,CH4-ISYS。


1)持續(xù)負載電流條件下測試


測試方法:VSYS系統(tǒng)供電端上加恒定3A靜態(tài)電流負載,在主電、備電供電條件下,測試備電插入、拔出過程中VSYS電壓的穩(wěn)定性和穩(wěn)定性。


圖6靜態(tài)負載備電插入(VBAT1_SYS>VBAT2_SYS)


圖7靜態(tài)負載備電插入(VBAT1_SYS


VBAT2_SYS)"src="https://power.21ic.com/d/file/ce/technical/2013-04-24/7992e32cf27c87d84e648676da384854.jpg"height="391"width="544"/>

圖8靜態(tài)負載備電拔出(VBAT1_SYS>VBAT2_SYS)


圖9靜態(tài)負載備電拔出(VBAT1_SYS


測試結果表明:在靜態(tài)電流負載條件下,備電的插入、拔出能夠保證系統(tǒng)電壓VSYS電壓的穩(wěn)定性以及供電的可靠性,另外備電的插入、拔出不會對主電電源出現(xiàn)影響。


2)動態(tài)負載電流條件下測試


VSYS供應功率放大電路電源,功放工作在最大功率發(fā)射條件下,動態(tài)負載電流在0~3A之間持續(xù)變化,高低電流的持續(xù)時間均為500us,電流變化率為1A/us。測試備電插入、拔出過程中VSYS供電的可靠性。


圖10動態(tài)負載備電插入(VBAT1_SYS>VBAT2_SYS)


圖11動態(tài)負載備電插入(VBAT1_SYS


圖12動態(tài)負載備電拔出(VBAT1_SYS>VBAT2_SYS)


圖13動態(tài)負載備電拔出(VBAT1_SYS


測試結果表明:在動態(tài)電流負載條件下,備電的插入、拔出能夠保證系統(tǒng)電壓VSYS電壓的穩(wěn)定性以及供電的可靠性,另外備電的插入、拔出不會對主電電源出現(xiàn)影響。


3總結


本文重要分析了基于bq24161+TpS2419的雙電池供電方法的設計方法,并且針對不同的應用場景進行了測試分析,測試結果表明該方法能夠滿足雙電池供電系統(tǒng)的要求,能夠應用于智能手機、WIFIRouter等多種便攜式終端產(chǎn)品。


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