我們現在之所以能生活在信息化時代，要得益于大量的電子產品的出現，而且就拿手機來說，電子產品的更新換代是非常迅速的，而且電子產品的使用壽命并不是很長。

手機發(fā)燒友的換機速度更是如此，半年就換一部手機的人比比皆是，況且很多人都喜歡擁有好幾部手機，有的手機是平時用的，還有的手機是當做備用機用的。

電腦也是從無到有，現在更是相當普及了。這些都是好事，可是萬物都是福禍相依的，大家有沒有想過，這么多的電子產品使用到頭了，就變成了無數的電子垃圾，這些垃圾該怎么辦呢？

現在很多的地方都有二手回收，提高產品的重復使用率，即使這樣也是杯水車薪的，能重復回收使用的還不到電子產品的一半。

有些電子垃圾是完全報廢了的，這些都是塑料和金屬的制品。可是，麻煩遠遠不止這些，自從電瓶車普及以后，電池產品（包括電瓶）的使用量也是節(jié)節(jié)攀升，私家車也是呈倍的上升！

這些東西從廠里生產出來多少，就注定會變成多少垃圾

家里還儲藏有很多廢棄電池，為的是響應環(huán)保，舍不得丟掉，可是又沒有人回收它們，在家里又看著惡心！

于是乎在我國省廣東省出現了一個貴嶼鎮(zhèn)，當地人看到了電子垃圾回收的巨大利潤，在回收技術上不成型的時候，犧牲當地環(huán)境，大量回收電子垃圾并且進行拆解。

盡管如此，貴嶼鎮(zhèn)還是付出了慘重的環(huán)境代價，汕頭大學醫(yī)學院曾對貴嶼進行的一份健康抽查表明：對165名1～6歲兒童進行嚴格體檢測試后，發(fā)現所有兒童均血鉛超標中毒，當地土壤中的鉛濃度是美國環(huán)保部門認定土壤污染危險臨界值的212倍！

電子垃圾和電池的回收技術完全成熟還有很長的路要走，可是這么多年的研究都進展緩慢，真的是令人堪憂的事情，我們的子孫還能有一個干凈的環(huán)境嗎？1.長時間對鋰離子電池充電,假如是用的原裝正品的充電器或座充,確實是不會有損害的.這個不是因為保護線路的功勞,而是靠充電線路的嚴格精確的設計來保證的.

2.有保護線路的存在,并不能完全的防止鋰離子電池的過充的發(fā)生,保護線路只有在電池過充的時候才會起防止進一步過充的用途.

RICOH推出的適合4.2V鋰離子電池的保護芯片,其過充保護電壓是4.35V+/-0.05V,日本精工SIEKO推出的8241系列中適合4.2V鋰離子電池的保護芯片,其過充保護電壓是4.275V+/-0.025V

而鋰離子電池充飽的時候,其電池電壓應該落在4.20V+/-0.04V之間,并沒有觸發(fā)保護線路動作.之所以廠家說明長時間充電不會過充是因為手機的充電管理確保在電池電壓已經到達4.20V以后不會繼續(xù)充電.而是保持監(jiān)視狀態(tài).

等到了過充保護的電壓,比如4.275V,這個鋰離子電池已經是過充了,此時保護線路才被切斷.防止進一步過充的危險.

講完了這個認識誤區(qū),下面帶大家認識一下手機鋰離子電池的內部機構.重要談一下鋰離子的保護線路的功能及其工作原理.有興趣的網友可以往下看:

鋰離子保護線路全解剖

一般用戶接觸到手機鋰離子電池,在外面看到的除了電池外殼,還有就是幾個五金觸片了,如圖中"電池正極,電池負極"就是的電池正負極輸出.

而實際真正供電的源泉是電池塑料殼里面的鋰離子電池芯,但是由于鋰離子電芯的"嬌嫩"的特性,比如過充和過放,大電流放電,短路等非常規(guī)動作都會對鋰離子電芯造成極大的傷害.所以保護線路的功能就是在上述非常規(guī)動作發(fā)生時及時的切斷回路.保護鋰離子電芯.而這些保護動作就是圖中的保護IC來判斷,由它來控制一對Mosfet場效應管來導通和切斷主供電回路,對鋰離子電芯進行保護.

市面上常用的這種保護IC的生產廠商有SEIKO精工,RICOH理光,Motorala摩托羅拉半導體等.

以精工的S8241系列芯片來具體介紹各項保護功能.

眾所周知,以恒壓充電限制電壓來劃分,鋰離子電池有4.1V恒壓充電和4.2V恒壓充電兩種類型.現在4.1V的版本已經很少,絕大多數是4.2V的恒壓充電類型的.下面的數據就只針對4.2V恒壓充電的鋰離子電池來討論.

保護IC+Mosfet可以實現的功能如下(四大保護):

1.過充保護,當電池芯的電壓超過設定值時,由保護IC切斷Mosfet管.等電芯電壓回歸到允許的電壓是,重新恢復Mosfet管的導通.

過充檢測電壓:4.275V+/-0.025V,電芯電壓一超過這個值,就觸發(fā)過充保護

過充釋放電壓:4.175V+/-0.030V,處于過充保護的電芯電壓只有降到這個值時才會停止保護.

過充保護延時:1秒.當電壓持續(xù)超過過充檢測電壓1秒以上才會觸發(fā)過充保護,這個是為了防止誤判和誤操作而設置的.

2.過放保護,當電池芯的電壓降低得超過設定值時,由保護IC切斷Mosfet管.等電芯電壓回歸到允許的電壓時,重新恢復Mosfet管的導通.