先談?wù)凜V操作模式，現(xiàn)在大部分芯片都是直接取樣輔助線圈上電壓，由于漏感的原因，在MOS關(guān)斷后，也就是次級二極管導(dǎo)通瞬間，會出現(xiàn)一個尖峰，影響電壓采樣，為了避開個這個尖峰，大部分廠家都是采用延時采機(jī)，也就是在MOS管關(guān)斷一段時間后再來采樣線圈電壓。從而避開漏感尖峰。pI是在高壓開關(guān)關(guān)斷2.5s采樣。這種采樣方式其實在以前很多芯片上的過壓保護(hù)上也都有應(yīng)用，比如OB2203和UCC28600，NCp1377上都有這樣的應(yīng)用，所以可以得到較高精度的過壓保護(hù)。

還有些廠家是在下取樣電阻上并一個小容量的電容來實現(xiàn)。同時建義大家吸收電路使用恢復(fù)時間約只有2us的IN4007再串一個百歐左右的電阻作吸收?？梢詼p小漏感出現(xiàn)的振鈴，從而減小取樣誤差。得到較高采樣精度。次級圈數(shù)固定，輔助繞組固定，取樣精度高。比較器內(nèi)部精度也高，自然可以得到較高的輸出電壓精度。

先寫個變壓器的基本公式。Np*Ipk=Ns*Ipks(變壓器次級只有一個繞組Ns),Np,Ipk,Ns,Ipks分別是初級圈數(shù)，初級峰值電流，次級圈數(shù)，次級峰值電流.

當(dāng)工作在DCM模式時，輸出電流是次級電流(如圖的三角形)在一個工作周期的平均值，所以Io=(Td/T)*Ipsk/2,其中T為工作周期。

Np*Ipk=Ns*Ipks

所以Ipks=Np*Ipk/Ns,

將Ipks=Np*Ipk/Ns代入Io=(Td/T)*Ipsk/2，得到Io=(Td/T)*(Np*Ipk/Ns)/2。

可以看出Np,Ns為常數(shù)，只要固定Ipk,和Td/T就可以得到固定的電流輸出。

市面上很多IC固定Ipk的方式是限制初級MOS取樣電阻上的峰值電壓，同時為了防止寄生電容在導(dǎo)通時出現(xiàn)的電流尖峰，會加入一段消隱時間。

Td/T是由IC內(nèi)部固定的。OB的是0.5(他是給出TD同頻率的關(guān)系)，BYD的1508是直接給來的0.42。仙童的沒有直接給出1317沒直接給出這個值，而是給出了一個計算初級電流的公式。也是間接告訴了Td/T。

CC時，在不同輸出電壓情況下，工作在pFM模式以保證固定的Td/T而實現(xiàn)穩(wěn)定的輸出電流。這就是實現(xiàn)恒流的基本原理，輸出電壓變化時能保證電流不變。只要保證ICTd/T的精度，以及初級峰值電流的限流精度就可以得到較高的輸出電流精度。這兩部分基本上取決于IC。取樣電阻保證1%是沒有問題的。

Io=(Td/T)*(Np*Ipk/Ns)/2。

可以看出Np,Ns為常數(shù)，只要固定Ipk,和Td/T就可以得到固定的電流輸出。

CC時，負(fù)載電壓變化會引起頻率的變化，電壓高時頻率，低時頻率也降低。從而保證穩(wěn)定的輸出電流。后面會分析一下，有關(guān)pSR如何補(bǔ)償電感量變化，以及合理的電感量選擇。